半導体支持部材及び半導体素子の加工方法例文帳に追加

MEMBER FOR SUPPORTING SEMICONDUCTOR AND METHOD OF WORKING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体ウェハ加工用材料、およびそれを用いた半導体ウェハの加工方法例文帳に追加

MATERIAL FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER WITH THE USE THEREOF - 特許庁

加工貿易のための原材料や半製品の輸入例文帳に追加

the importation of raw materials or semi manufactured goods for the processing trade発音を聞く  - EDR日英対訳辞書

耐ハロゲンガス性の半導体加工装置用部材例文帳に追加

HALOGEN GAS-RESISTANT MEMBER FOR SEMICONDUCTOR WORKING APPARATUS - 特許庁

半導体加工装置用部材およびその製造方法例文帳に追加

MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MACHINING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

半導体材料の切断・加工方法例文帳に追加

METHOD FOR CUTTING/PROCESSING SEMICONDUCTOR MATERIAL - 特許庁

半導体加工装置用部材及びその製造方法例文帳に追加

MEMBER OF DEVICE FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

マイクロ熱加工用電極及びそれを用いた金属部材若しくは半導体部材の熱加工方法例文帳に追加

MICRO THERMAL PROCESSING ELECTRODE AND THERMAL PROCESSING METHOD USING IT FOR METAL MEMBER OR SEMICONDUCTOR MEMBER - 特許庁

本発明に係る半導体材料は、スライス加工による加工層の加工歪方向と直交するダメージ加工が施され、前記加工歪方向及び前記加工歪方向と直交する方向に均質な歪を有する。例文帳に追加

The semiconductor material has homogeneous distortion in the processing distortion direction and a direction orthogonal to the processing distortion direction. - 特許庁

半導体材料を劈開・分離させるための溝加工方法並びに溝加工装置例文帳に追加

GROOVING PROCESS AND EQUIPMENT FOR CLEAVING/SEPARATING SEMICONDUCTOR MATERIAL - 特許庁

プレス加工工程Ｓ１４は、半硬化工程後に、基材２１のプレス加工を行う。例文帳に追加

In the pressing step S14, the base material 21 is pressed after the semi-hardening step. - 特許庁

加工後の半導体ウエーハの搬送が容易で、且つ加工時に半導体ウエーハ以外の部材が加工工具と干渉することがない半導体ウエーハ加工体および半導体ウエーハ加工体を保持するチャックテーブルを備えた加工装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor wafer machining body in which a machined semiconductor wafer can be carried easily and a member other than the semiconductor wafer does not interfere with a machining tool in machining, and a machining apparatus comprising a chuck table for holding the semiconductor wafer machining body. - 特許庁

半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ支持部材例文帳に追加

SEMICONDUCTOR WAFER MACHINING METHOD AND SEMICONDUCTOR WAFER SUPPORT MEMBER - 特許庁

半導体加工装置用部材の耐食処理方法およびその処理部材例文帳に追加

METHOD FOR PROCESSING CORROSION RESISTANCE OF MEMBER FOR SEMICONDUCTOR WORKING APPARATUS, AND MEMBER PROCESSED FOR CORROSION RESISTANCE - 特許庁

マグネシウム合金からなる被加工板材１を、200 ℃以上の加工温度に加熱した状態において、順次小さな曲げ半径に設定した曲げ加工を少なくとも２回繰り返して、所定の曲げ半径に曲げ加工する。例文帳に追加

While a plate material 1 to be worked consisting of magnesium alloy, is heated to a working temp. of ≥200°C, bending that is set so that successively smaller bending radius is repeated at least two times, to obtain the magnesium alloy having a prescribed bending radius. - 特許庁

原材料や半製品を輸入し,加工して輸出する貿易例文帳に追加

a trade involving the importation of raw materials or semi manufactured goods then exporting them after processing発音を聞く  - EDR日英対訳辞書

フィルム基材および半導体ウエハ加工用粘着テープ例文帳に追加

FILM SUBSTRATE AND ADHESIVE TAPE FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁

半導体ウエハ加工用フィルム及びその基材フィルム例文帳に追加

FILM FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER AND BASE FILM OF THE SAME - 特許庁

半導体ウェーハを同時に両面で材料除去加工するための方法例文帳に追加

METHOD FOR SIMULTANEOUSLY PERFORMING MATERIAL REMOVAL WORK TO BOTH SURFACES OF SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁

有機材料膜の加工方法および半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PROCESSING ORGANIC MATERIAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ワイヤーソーイング時の半導体材料製被加工物の冷却方法例文帳に追加

METHOD OF COOLING WORKPIECE FORMED OF SEMICONDUCTOR MATERIAL IN WIRE SAWING - 特許庁

金属材料の加工方法及びそれを用いた半導体装置例文帳に追加

WORKING METHOD FOR METAL MATERIAL AND SEMICONDUCTOR APPARATUS FABRICATED BY USING THE SAME - 特許庁

曲げ加工時に外側の半割りパイプ材の割れを防止する。例文帳に追加

To prevent a crack at the outside half split tube stock in bending. - 特許庁

ＺｎＯ系半導体部材の新規な加工技術を提供する。例文帳に追加

To provide a novel technology for fabricating a ZnO-based semiconductor member. - 特許庁

半導体加工キャリア部材の表面処理方法及びその物品例文帳に追加

METHOD FOR SURFACE-TREATING CARRIER MEMBER FOR MACHINING SEMICONDUCTOR, AND SURFACE-TREATED ARTICLE - 特許庁

超薄型半導体を加工するための乾式研磨材料を提供する。例文帳に追加

To provide a dry abrasive for processing an ultrathin semiconductor. - 特許庁

半導体加工装置用セラミック被覆部材の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING CERAMIC-COATED MEMBER FOR SEMICONDUCTOR WORKING APPARATUS - 特許庁

半導体材料又は半導体材料上に更に半導体材料を積層した半導体材料を加工して半導体装置を形成する。例文帳に追加

The semiconductor device is formed by working the semiconductor material or the semiconductor material, in which the semiconductor material is further laminated on the semiconductor material. - 特許庁

プレス１５では、２回の加工で１本の長尺部材の前半分と後ろ半分に分けて加工する。例文帳に追加

One long size member is worked by two times of working by dividing into the first half and the second half in the press 15. - 特許庁

マグネシウム合金の板材を、クラックの発生を防止しながら少ない回数の曲げ加工によって小さな曲げ半径に加工することのできるマグネシウム合金のプレス加工方法およびプレス加工装置を提供する。例文帳に追加

To provide a press working method and a press working device for a magnesium alloy by which the metal plate of magnesium alloy is worked with a small bending radius by bending it less times while preventing generation of a crack. - 特許庁

支持部材となる低温加工性チタン合金は、小半径曲げ加工および大角度曲げ加工に耐え、航空機用クランプとして必要とされるバンド形状に加工される。例文帳に追加

The titanium allow with low-temperature workability forming the support member withstands a small-radius bending processing and a large-angle bending processing to be processed in a band-like shape required as a clamp for an aircraft. - 特許庁

レーザ加工機により被加工材の切断を行う際に行われるピアス加工において、まずレーザビームを所定の回転半径で回転させながらピアス加工を行う。例文帳に追加

In the piercing work that is carried out when cutting a material to be worked by a laser beam machine, the piercing is worked while a laser beam is first rotated with a prescribed radius of gyration. - 特許庁

採取部材（１）の先端を鋭利に加工するとともに、採取部材（１）の一部ないしは全体に渡って加工された半開口部（４）を設ける。例文帳に追加

The tip of a collection member (1) is sharpened, and a half- opening part (4) processed in a part or throughout the whole of the collection member (1) is provided. - 特許庁

また、第２加工ユニット１４では、第２パンチ２８及び第２ダイ２５によって、板材Ｗの半抜き部１５に対して第１工程半抜き加工とは逆方向から半抜き加工を施す第２工程Ｓ２が実行される。例文帳に追加

A second stage S2 where half-blanking work is performed from the direction opposite to the first half-blanking work to the half-blanked part 15 of the sheet W with a second punch 28 and a second die 25 in the second working unit 14. - 特許庁

半導体ウェハ加工、特にバックグラインドテープの基材あるいはダイシングテープの基材として用いた際における、優れた加工適性を有する半導体加工用ベースフィルムを得ること目的とする。例文帳に追加

To obtain excellent working aptitude upon working a semiconductor wafer and especially upon employing a base film for the substrate of a back grind tape or the substrate of a dicing tape. - 特許庁

曲げ加工材の半径の測定を自在に行い、安全性の確保、省力化、省人化が可能になり、したがって曲げ加工の精度を向上させることができる曲げ加工材の半径測定装置を得る。例文帳に追加

To improve the precision of bending work by freely measuring the radius of a bent material, securing the safety and saving the power and labor. - 特許庁

半抜き加工用パンチ、及び、プレス型、半抜き形状部材、及び画像形成装置例文帳に追加

PUNCH AND PRESS DIE FOR HALF-BLANKING, MEMBER WITH HALF-BLANKED SHAPE AND IMAGE FORMING APPARATUS - 特許庁

大規模な設備や金型が不要な大曲げ半径の曲げ加工、曲げ内側でしわや座屈が生じにくい曲げ加工、生産性の高い曲げ加工の三つ特性の両立を可能にした新しい管材の曲げ加工装置及び曲げ加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a new apparatus and method of bending a tubular material by which the compatibility of three properties of the bending work of a large bend radius without requiring large-scale equipment and die, a bending work by which wrinkles and buckling can not be generated inside the bending and a bending work having high productivity is made possible. - 特許庁

蓄熱材注入用の小孔を開ける工程は、中空半球をプレス加工する際に同時加工する方法。例文帳に追加

The process for forming the small hole for pouring the heat storage material is performed simultaneously with the press work of the hollow hemisphere. - 特許庁

平坦なワークピースを両面加工する装置、ならびに複数の半導体ウェハを両面で同時に材料切削加工する方法例文帳に追加

DEVICE FOR DOUBLE-SIDED MACHINING FLAT WORKPIECE, AND METHOD OF SIMULTANEOUSLY CUTTING MATERIALS OF PLURALITY OF SEMICONDUCTOR WAFERS IN BOTH FACES - 特許庁

ＳｉＣを材料とする基板を備えた半導体装置において、ビアホール形成における加工精度及び加工速度を向上させること。例文帳に追加

To improve the processing accuracy and speed of via hole formation in a semiconductor device equipped with a substrate made of SiC. - 特許庁

曲率半径の小さいアールで小さく曲げる微細で複雑な曲げ加工をも可能にする帯板材の曲げ加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a bending method for a steel strip in which fine and intricate bending of bending the steel strip with small roundness of a small radius of curvature is made possible. - 特許庁

研磨加工用スラリー組成物、半導体基板、異硬度材料で構成される複合材料例文帳に追加

SLURRY COMPOSITION FOR POLISHING PROCESSING, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND COMPOSITE MATERIAL FORMED OF DIFFERENT HARDNESS MATERIAL - 特許庁

半導体基板上に形成された被加工材料、若しくは複数の積層膜から構成される被加工材料を所望のダブルパターンニング法を用いて加工する製造方法において、パターンを形成する際、素子分離幅を規定する加工を２回行うことで解決できる例文帳に追加

In a method of processing a material to be processed which is formed on a semiconductor substrate 101 or a material to be processed which comprises a plurality of multilayer films using a desired double patterning method, processing for defining the element isolation width can be performed twice when a pattern is formed. - 特許庁