半導体ひずみの英語

ひずみ半導体層を具備する半導体装置に関して、ひずみ測定のための好適な構造を提案する。例文帳に追加

To propose a suitable configuration for measuring distortion of a semiconductor device including a distorted semiconductor layer. - 特許庁

半導体基板の上にひずみ検出部を形成する。例文帳に追加

A strain detecting section is formed on a semiconductor substrate. - 特許庁

半導体デバイス用超格子歪緩衝層例文帳に追加

SUPERLATTICE STRAIN RELIEF LAYER FOR SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

圧縮歪半導体層１２の圧縮歪を緩和させることにより、無歪半導体層１３に伸張歪を印加する。例文帳に追加

By relaxing the compression strain of the compression-strained semiconductor layer 12, tensile strain is applied to the non-strained semiconductor layer 13. - 特許庁

半導体装置、歪ゲージ、圧力センサおよび半導体装置の製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, STRAIN GAUGE, PRESSURE SENSOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体プロセス中にウエハの微小領域のひずみ量を測定する。例文帳に追加

To measure a distortion amount in a minute region of a wafer during a semiconductor process. - 特許庁

半導体表面歪測定装置、方法及びプログラム例文帳に追加

APPARATUS, METHOD AND PROGRAM FOR MEASURING SEMICONDUCTOR SURFACE DISTORTION - 特許庁

基板上に形成されたひずみ半導体層と、前記基板に設けられた、前記半導体層のひずみを測定するためのひずみ測定領域と、前記基板に設けられた、前記半導体層のひずみ評価用の基準情報を取得するための基準情報取得領域とを具備することを特徴とする半導体装置。例文帳に追加

The semiconductor device includes a distorted semiconductor layer formed on a substrate, a distortion measuring region for measuring the distortion of the semiconductor layer provided on the substrate, and a reference information acquisition region for acquiring reference information for evaluating the distortion of the semiconductor layer provided on the substrate. - 特許庁