半導体エネルギーギャップの英語

第２のIII−V族化合物半導体層が光吸収層として機能し、第２のIII−V族化合物半導体層のエネルギーギャップは、第１のIII−V族化合物半導体層のそれより小さく、各半導体層におけるｐ型のドーパントとしては、Ｂｅ又はＣが用いられる。例文帳に追加

The second group III-V compound semiconductor layer is functioned as a light absorption layer, an energy gap of the second group III-V compound semiconductor layer is smaller than that of the first group III-V compound semiconductor layer, and Be or C is used as a p-type dopant in the respective semiconductor layers. - 特許庁

酸化物半導体中で電子供与体（ドナー）となる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもエネルギーギャップが大きい酸化物半導体でチャネル領域が形成される薄膜トランジスタを用い、ＬＳＩやＣＰＵやメモリなどの半導体集積回路を作製する。例文帳に追加

A semiconductor integrated circuit such as an LSI, a CPU, or a memory is manufactured using a thin film transistor in which a channel formation region is formed using an oxide semiconductor which becomes an intrinsic or substantially intrinsic semiconductor by removing impurities serving as electron donors (donors) in the oxide semiconductor and has larger energy gap than that of a silicon semiconductor. - 特許庁

半導体エネルギーギャップより小さなショットキー障壁接合５を太陽電池の裏面に、裏面電極４とは別に形成している構造とする。例文帳に追加

In the structure of the solar battery, a Schottky barrier junction 5 smaller than the semiconductor energy gap is formed on the back of the solar battery which is isolated from a back electrode 4. - 特許庁

本発明は、半導体結晶からなる微粒子を、微粒子よりもエネルギーギャップの大きな導電性媒質で充填した構造となっている。例文帳に追加

The light-emitting device is constituted of particulates, consisting of a semiconductor crystal and filled with a conductive medium having an energy gap larger than that of the particulate. - 特許庁

そのために、トランジスタの半導体層（チャネル領域を形成する層）としてエネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体を用い、該酸化物半導体に含まれるキャリア供与体となる不純物の濃度を低減させている。例文帳に追加

For that purpose, an oxide semiconductor whose energy gap is ≥2 eV, preferably ≥2.5 eV, more preferably ≥3 eV is used for a semiconductor layer (layer for forming a channel region) of the transistor, and the concentration of an impurity which serves as a carrier donor included in the oxide semiconductor is reduced. - 特許庁

酸化物半導体中で電子供与体（ドナー）となる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもエネルギーギャップが大きい酸化物半導体でチャネル形成領域が形成される薄膜トランジスタによって、電子書籍の表示パネルの表示を制御するものである。例文帳に追加

Display on the display panel of the e-book reader is controlled by a thin film transistor whose channel formation region is formed using an oxide semiconductor which is an intrinsic or substantially intrinsic semiconductor by removal of an impurity that might be an electron donor in the oxide semiconductor and has a larger energy gap than a silicon semiconductor. - 特許庁

該エネルギーギャップの大きな半導体領域は、好ましくは炭化珪素で形成され、少なくとも絶縁層を介して設けられるゲート電極と重なる位置に設けられる。例文帳に追加

The semiconductor region having the large energy gap is preferably formed from silicon carbide, and is provided at a position overlapping with a gate electrode provided via at least an insulating layer. - 特許庁

本発明の実施の一形態に係る２端子半導体素子は、第１電極膜と、第１電極膜上に配置される２ｅＶ以下のエネルギーギャップと正孔準位内の正孔とを有する急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜と、急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜上に配置される第２電極膜と、を備えている２端子半導体素子である。例文帳に追加

The two-terminals semiconductor device comprises: a first electrode film; a rapid metal-insulator transition semiconductor substance, arranged on the first electrode film, having an energy gap of 2 eV or less and holes within a hole level; and a second electrode film arranged on the rapid metal-insulator transition semiconductor substance. - 特許庁