半金属性の英語

Ｃｕ配線などの金属配線について、金属配線と金属拡散防止膜との密着性が向上し、金属配線のエレクトロマイグレーション耐性向上により金属配線寿命の長い半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device with the long-life metal wiring by improving the adhesion between the metal wiring and a metal diffusion prevention film in the metal wiring, such as Cu wiring, and by improving the electromigration resistance of the metal wiring. - 特許庁

正電極及び負電極の少なくとも一方を２層以上の金属層で構成し、窒化物半導体層に接する第１の金属層及び金属バンプに接する第２の金属層に、金属バンプを構成する金属より延性の大きい金属を用いる。例文帳に追加

At least either of the positive and negative electrodes is configured by two metallic layers or more, and a metal with greater ductility than that of a metal configuring the metallic bumps is employed for the first metallic layer in contact with the nitride semiconductor layer and the second metallic layer in contact with the metallic bumps. - 特許庁

密着性の悪い金属と、半導体と容易に化合物を作る金属との合金をバリア金属とする。例文帳に追加

An alloy of a metal poor in adhesion and a metal easily making compound with the semiconductor is made as the barrier metal. - 特許庁

半導電性金属酸化物薄膜の強誘電性メモリトランジスタ例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY TRANSISTOR WITH SEMICONDUCTIVE METAL OXIDE THIN FILM - 特許庁

改善された性能および信頼性を有する金属酸化物半導体デバイス例文帳に追加

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING IMPROVED PERFORMANCE AND RELIABILITY - 特許庁

半導体の表面に貴金属被覆を有する貴金属被覆光触媒であって、貴金属被覆により半導体の光分解性が抑止されることを特徴とする貴金属被覆光触媒及びその製造方法。例文帳に追加

The present invention relates to a noble-metal coated photocatalyst having a noble-metal coating on the surface of the semiconductor, which is characterized by inhibiting a photolytic nature of the semiconductor by virtue of the noble-metal coating. - 特許庁

電力用半導体モジュールでのセラミックス（絶縁性板）と金属（金属製薄板）などの接合に用いる接合材料（半田層）の低融点金属相の組識中に軟質金属相を分散させる。例文帳に追加

A soft metal phase 10 is dispersed into the texture of a low- melting point metal phase of a boning material (solder layer) 8 which is used for bonding the ceramic board (insulating bard) 2 of a power semiconductor module to metal (a metal thin board) 3. - 特許庁

磁性金属、貴金属、磁性金属、半導体、強磁性金属等の金属薄膜中の量子井戸準位または強磁性体に挟まれた半導体量子井戸準位を使った光遷移を用い、磁化情報の高速高感度読み出し方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of high-speed and high-sensitivity reading-out of magnetization information by using light transition using the quantum well level in thin metallic film of magnetic metal, noble metal, magnetic metal, semiconductor, ferromagnetic metal, etc., or the semiconductor quantum well level held between ferromagnetic metals. - 特許庁