原子半径の英語

このオーバーコートはＹ^3+より大きい原子半径を有する陽イオンが侵入しているＹＳＺの犠牲層であってもよい。例文帳に追加

The overcoat may be a sacrificial layer of YSZ infiltrated with cations having an atomic radius larger than Y^3+. - 特許庁

原子発光分光計用検出システムは、１組の凹型球状ミラー６０、７０の曲率半径の半分の曲率半径を持つ球状凸型回折格子５０を有する。例文帳に追加

A cented sphere detecting system for an atomic emission spectrophotometer has a spherical convex diffraction grating 50 with a curvature radius comprising a half of the curvature radius of paired concave spherical mirrors 60, 70. - 特許庁

そして、表面フラクタル次元D、前記貴金属原子の原子量M及び原子半径r、アボガドロ数N_A、並びに前記測定対象物の材料により定まる係数kを用いて、比表面積A_sを式 A_s=k・r^-D・M^-1・N_A・πr^2により求める。例文帳に追加

Then, the specific surface area A_s is determined from the equation: A_s=k×r^-D×M^-1×N_A×πr^2, by using the surface fractal dimension D, the atomic weight M and the atomic radius r of the noble metal atom, the Avogadro's number N_A, and a coefficient k determined by a material of the measuring object. - 特許庁

特に、シリコン基板１０１上の低温緩衝層に添加する不純物は、珪素より原子半径を大とする不純物とする。例文帳に追加

When the buffer layer 102 is provided on a silicon substrate 101, particularly, an element having atomic radius larger than that of silicon is used as the impurity. - 特許庁

SbはInと原子半径が近いため、上側界面に偏析したInが障壁層中に拡散するのを低減し、界面の品質を改善することができる。例文帳に追加

The atomic radius of Sb and In are approximate to each other, so that the diffusion of In segregated in the upper interface is reduced in the barrier layer and the quality of the interface can be improved. - 特許庁

加熱電極はチタニウムより原子の半径が大きい金属窒化物を含み、プラズマを利用しない熱化学蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ＣＶＤ）法で形成される。例文帳に追加

The heating electrode contains a metal nitride which is bigger than titanium in a radius of an atom and formed of a chemical vapor deposit ( thermal CVD ) without using plasma. - 特許庁

原子炉圧力容器1と遮蔽壁2間の制振機構10は、圧力容器半径方向に積層した複数の皿ばね18、19を備えた構成とする。例文帳に追加

A vibration insulating mechanism 10 between the nuclear reactor pressure vessel 1 and a shield wall 2 is provided with a plurality of plate springs 18 and 19 layered in the pressure vessel radial direction. - 特許庁

Ｉｎ等のＳｉに比較して原子半径の大きい元素を半導体基板中の不純物拡散領域を形成する不純物とすることができる。例文帳に追加

Thus, the element of a larger atomic radius compared to Si of In can be set to impurity forming the impurity diffusion region in the semiconductor substrate. - 特許庁