参照カラムの英語

実施形態による半導体記憶装置は、第１セルアレイ１０−１内に配置された第１参照セルＲＣと、第１セルアレイ１０−１内に配置され、第１参照セルＲＣが配置されたロウ又はカラムと同一のロウ又はカラムに並べられた複数の第１フューズセルＦＣと、を具備する。例文帳に追加

A semiconductor storage device in an embodiment includes a first reference cell RC arranged in a first cell array 10-1 and a plurality of first fuse cells FC which are arranged in the first cell array 10-1 and which are arranged in the same row or column as the row or column in which the first reference cell RC is arranged. - 特許庁

カラムカウンタ補正回路３２及びラインカウンタ補正回路４２は、参照画像がＶＯＰの領域外に位置する場合には、カラムカウンタ３１及びラインカウンタ４１から発生されたピクセル位置を、ＶＯＰの領域内に含まれているピクセルの位置に補正する。例文帳に追加

The column counter correction circuit 32 and the line counter correction circuit 42 correct the pixel location generated by the column counter 31 and the line counter 41, into a pixel location included in a VOP (video object plane) area, when the reference image is located outside of the VOP area. - 特許庁

センス線、参照データ線の容量バランスを最大限に保ち、回路の増大とチップ面積の増大を最小限に抑えたカラム切り替え機能を持つセンス回路を有する半導体記憶装置を提供する例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device which includes a sense circuit having a column switching function of maintaining maximum capacity balance of a sense line and a reference data line and suppressing the increases of a circuit and a chip area to minimum. - 特許庁

制御部１０はメモリ１４から前回分析時の条件を参照し、パックドカラムが使用されていたかを判定し、点火時のイグナイタの電力を決定し、検出器のイグナイタの電力を設定する。例文帳に追加

The control part 10 refers to the condition at the time of previous analysis from the memory 14 to determine whether a packed column is used or not and the power of an igniter at the time of ignition is determined to set the power of the igniter of a detector. - 特許庁

処理部３は、次に更新するレコード位置を、ＳＥＱNo.＝１のカラム１のデータ（ｄ1-1）を参照することにより取得し、このＳＥＱNo.の示すデータ記憶レコードへ入力されたデータを記憶する。例文帳に追加

The process part 3 obtains a record position to be updated next by referring to the data (d1-1) of a column 1 of SEQNo.=1 and stores the inputted data in the data storage record that SEQNo. indicates. - 特許庁

そして、指図出力系マスタ１９を参照して、実行結果のデータと計画データを指図データの該当するカラムに格納し、その指図データを製造工程を管理するシステムに出力する。例文帳に追加

Data of an execution result and the plan data are stored in a corresponding column of instruction data in reference to an instruction output-system master 19, and the instruction data are output to the system managing the production process. - 特許庁

行列の転置に関して、１ページにストアされうるカラム数が余りにも小さく、すなわち、ＳＤＲＡＭデバイスのオーバーヘッドサイクルが（ロウが読み出される場合に）ページ変更の前に発生しうるメモリ参照の回数に亘って償還されてしまい、実効的なメモリサイクルレートがシステム要求を充足しない場合に、アドレス再マッピングが適用される。例文帳に追加

When the number of columns stored in one page is too small, that is, an overhead cycle of the SDRAM (when rows are read) is amortized over the number of memory reference times caused before page change resulting that an effective memory cycle rate suffices no system requirement, this method uses the address remapping with respect to the matrix transposition. - 特許庁

列（カラム）回路を含む画素センサ・セル、列回路を含む画素センサ・セルを製造するための設計構造体、及び列回路を含む画素センサ・セルを動作させるための方法は、可変キャパシタンスでの浮遊拡散部からの複数の参照データ・ポイントと信号データ・ポイントとのペアの測定に基づく。例文帳に追加

The pixel sensor cell including a column circuit, a design structure for fabricating the pixel sensor cell including the column circuit and a method for operating the pixel sensor cell including the column circuit are predicated upon the measurement of multiple reference data point and signal data point pairs from a floating diffusion at a variable capacitance. - 特許庁