反サイト欠陥の英語

これによりゲート絶縁膜７への不純物の拡散を抑制して欠陥の形成を抑制すると共にシリコンとゲート絶縁膜７の元素との反応も抑制してトラップサイトの形成を抑制し、ゲートリーク、閾値電圧の変動、ヒステリシス、ＴＤＤＢ寿命、ＰＢＴＩ寿命を改善する。例文帳に追加

Thereafter, polycrystalline silicon is deposited at a film formation temperature of nearly 600°C or above. - 特許庁

ゲート絶縁膜として高誘電率膜を用いる構造において、高誘電率膜からなるゲート絶縁膜とゲート電極との反応やゲート絶縁膜への不純物の拡散を抑制し欠陥やトラップサイトの形成に起因する特性や信頼性の低下を抑制することができる半導体装置の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a structure using a film having a high dielectric constant as a gate insulation film which can suppress the deterioration of characteristics and reliability due to the formation of defects and trap sites, by suppressing the reaction between the gate insulation film consisting of the film having a high dielectric constant and a gate electrode and the diffusion of dopants into the gate insulation film. - 特許庁