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反磁性プラズマの英語
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英訳・英語 diamagnetic plasma
「反磁性プラズマ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
この磁性層の磁気的に分離する領域を反応性プラズマもしくは反応性イオンにさらす。例文帳に追加
A region for magnetic separation of the magnetic layer is exposed to the reactive plasma or reactive ions. - 特許庁
プラズマ反応器１は、排気ガスの気流に対面する方向に磁界を発生させ得る磁界発生手段として、磁性材からなるプラズマ発生用の磁性電極２ｇを具備している。例文帳に追加
The plasma reactor 1 is equipped with a magnetic electrode 2g for plasma generation consisting of a magnetic material, as a magnetic field generating means to generate a magnetic filed in a direction facing an air flow of exhaust gas. - 特許庁
プラズマ処理層４５は固定層４４の表面、反強磁性層４６の成膜初期層、又は双方の数原子層をアルゴンイオンプラズマに曝すことで形成することができる。例文帳に追加
The plasma treatment layer 45 can be formed in such a way that the surface of the fixation layer 44, the film-formation initial layer of the antiferromagnetic layer 46 or several atomic layers of both are exposed to an argon ion plasma. - 特許庁
二重壁構造のトーラス型真空容器において、設置が容易でかつ精度良くプラズマ磁場の測定可能な反磁性ループを提供する。例文帳に追加
To provide a diamagnetic loop facilitating installation and measuring a plasma magnetic field precisely in a torus type vacuum container with a double wall structure. - 特許庁
非磁性基板上に磁性層を形成した後、該磁性層の表面を部分的に酸素、ハロゲン等の反応性プラズマにさらし、もしくは該プラズマ中に生成した各種反応性イオンにさらし、該箇所の磁性層を非晶質化せしめ、磁気特性を改質することにより磁気的に分離した磁気記録パターンを形成する。例文帳に追加
A magnetically-separated magnetic recording pattern is formed by forming a magnetic layer on a non-magnetic substrate, then exposing the surface of the magnetic layer partially to a reactive plasma such as oxygen and halogen, or to various kinds of reactive ions generated in the plasma so as to amorphize the portion of the magnetic layer and to modify the magnetic characteristics. - 特許庁
非磁性基材（１）上に積層した強磁性金属薄膜（２）上に、炭化水素を含有する反応ガスからプラズマＣＤＶ法により保護膜（４）を形成する磁気記録媒体（２０）の製造方法であって、前記プラズマＣＤＶ法において反応ガスに正の直流電圧（Ｖ１）と負の直流電圧（Ｖ２）とを交互に印加することを特徴とする、磁気記録媒体（２０）の製造方法。例文帳に追加
The manufacturing method for the magnetic recording medium is constituted to form the protective film 4 from a reaction gas incorporating hydrocarbon on a ferromagnetic metallic thin film 2 deposited on a nonmagnetic base material 1 by the plasma CDV process, in which positive DC voltage V1 and negative DC voltage V2 are alternately applied to the raction gas. - 特許庁
磁気記録パターンの形成時における反応性プラズマまたはイオンと磁性層との反応性を高め、また、パターニングにおける像のぼけが生じにくい磁気記録媒体の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a magnetic recording medium in which reactivity between a magnetic layer and reactive plasma or ions during the formation of a magnetic recording pattern is enhanced and the blur of an image in the patterning is hardly generated. - 特許庁
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「反磁性プラズマ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
コバルトまたはニッケルのような強磁性材料をスパッタリングするのに使用されるプラズマを確実に点弧させるのに特に有利な直流マグネトロンスパッタリング反応器のためのシールドを提供する。例文帳に追加
To provide a shield for a DC magnetron sputtering reactor which is particularly favorable in reliably igniting plasma used for sputtering a ferromagnetic material such as cobalt and nickel. - 特許庁
このプラズマ処理層４５は固定層４４と反強磁性層４６との間の中間の結晶格子定数を有し、双方の結晶格子を整合し、かつ双方の結晶性を確保する。例文帳に追加
The plasma treatment layer 45 has a crystal lattice constant in the intermediate between that of the fixation layer 44 and that of the antiferromagnetic layer 46, it matches the crystal lattice of both and it ensures the crystallinity of both. - 特許庁
SV-GMR素子４を備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、SV-GMR素子４の固定層４４と反強磁性層４６との間にプラズマ処理層４５を形成する工程を備える。例文帳に追加
In this manufacturing method for a magnetoresistance effect thin-film magnetic head provided with an SV-GMR element 4, a process in which a plasma treatment layer 45 is formed between a fixation layer 44 and an antiferromagnetic layer 46 for the SV-GMR element 4 is provided. - 特許庁
本発明のＴＭＲデバイスは、シールド層と、シード層と、反強磁性層と、プラズマ処理部分を含む第２の反平行層と、４Åの厚さを有するルテニウム層と、ＣｏＦｅx 層と、第１の反平行層と、トンネルバリア層と、磁気フリー層と、キャップ層とを順に備える。例文帳に追加
A TMR device comprises: a shield layer; a seed layer; an antiferromagnetic layer; a second anti-parallel layer including a portion subjected to plasma processing; a ruthenium layer having a thickness of 4 Å; a CoFex layer; a first anti-parallel layer; a tunnel barrier layer; a magnetic free layer; and a cap layer, in order. - 特許庁
炭化水素類、アルコール類、エーテル類、アルデヒド類、カルボン酸類、エステル類及びジオン類からなるガス化化合物群から選択された少なくとも一種のガス化化合物を０．５×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上、好ましくは２×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上の分子流速の条件下において形成したプラズマ雰囲気下で、磁性膜又は反磁性膜をエッチングする。例文帳に追加
The magnetic film or the diamagnetic film is etched in a plasma atmosphere in which at least one gasification compound selected from a group of gasification compounds consisting of hydrocarbons, alcohols, ethers, aldehydes, carboxylic acids, esters and geons is formed under condition that the particle flow rate is at least 0.5×10^17 molecular number/min/m^2 and preferably at least 2×10^17 molecular number/min/m^2. - 特許庁
炭化水素類ガス、アルコール類ガス、エーテル類ガス、アルデヒド類ガス、カルボン酸類ガス、エステル類ガス及びジオン類ガスからなる化合物ガス群から選択された少なくとも一種の化合物ガス、及び酸素ガスを有する混合ガス中の全炭素原子数Ｃｎと全酸素原子数ＯｎとがＯｎ／Ｃｎ＞１の関係を満たし、該混合ガスを用いて形成したプラズマ雰囲気下で、磁性体層又は反磁性体層をエッチングする。例文帳に追加
The total number of carbon atoms Cn and the total number of oxygen atoms On in a mixed gas of at least one compound gas selected from a group of compound gases consisting of gases of hydrocarbons, alcohols, ethers, aldehydes, carboxylic acids, esters and geons with oxygen gas meets a relation On/Cn>1 and the magnetic material layer or the diamagnetic material layer is etched in a plasma atmosphere formed with the mixed gas. - 特許庁
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diamagnetic plasma
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