周縁成長の英語

気相成長中の半導体基板の外周縁のキズを低減することで割れを防止し、さらには、半導体基板の偏心を抑制することで、成長させる単結晶薄膜の膜厚分布の悪化を防止できる気相成長用サセプタ及びそれを用いた気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a susceptor for vapor phase growth, which can prevent film thickness distribution of a single crystal thin film to grow from becoming deteriorated by preventing a crack with the reduction of injuries around outer periphery of a semiconductor substrate which is growing in a vapor phase and further by suppressing eccentricity of the semiconductor substrate, and to provide a method for vapor phase growth using the same. - 特許庁

活性層１４は、所定の領域の周縁部に形成された異常成長部１４ａと、異常成長部１４ａの周囲に形成され、異常成長部１４ａを除く活性層１４の他の部分と比べて禁制帯幅が大きい禁制帯幅増大部１４ｂとを有している。例文帳に追加

The active layer 14 includes an abnormal growth portion 14a formed at a peripheral edge of the predetermined region and a forbidden bandwidth increase portion 14b formed at a periphery of the abnormal growth portion 14a and having a larger forbidden bandwidth than other parts of the active layer 14 except the abnormal growth portion 14a. - 特許庁

基板の面取り部１３には多結晶膜１４が形成されているので、エピタキシャル成長を行う時にここでファセット成長が発生することはなく、面取り加工された周縁部の形状に沿って多結晶化したエピタキシャル膜１６が形成される。例文帳に追加

Since the polycrystalline film 14 is formed on the chamfer 13 of the substrate, facet growth does not occur there when the epitaxial growth takes place, and a polycrystalline epitaxial film 16 is formed along the shape of the chamfered periphery. - 特許庁

チョクラルスキー法やキロポーラス法でフッ化金属単結晶体を製造する際に、結晶成長炉内におけるトラブルにより、下端中心部が周縁部に比して陥没した状態になってしまった種結晶体を、結晶成長に適した形状に該結晶成長炉内で再生する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for regenerating a seed crystal into a shape suitable for crystal growth in a crystal growth furnace, the seed crystal having a caving center portion at the bottom end compared to the circumference edge caused by troubles in the crystal growth furnace while producing a metal fluoride single crystal by Czochralski method or Kyropoulos method. - 特許庁

気相成長制御部２３を、内周面２３Ａが周縁部２２の内周面２２Ａに倣い、かつ、上面２３Ｂが周縁部２２の上面２２Ｂに倣う状態で、ＳｉＣ被膜と比べて反応ガスとの反応が抑制されるＳｉＯ_２により形成して設けている。例文帳に追加

A vapor growth controller section 23 is provided formed of SiO_2 which provides a restrained reaction with a reaction gas as compared to an SiC film, while having an inner circumferential surface 23A modeled after the inner circumferential surface 22A of the circumferential section 22 and a top surface 23B modeled after the top surface 22B of the circumferential section 22. - 特許庁

本発明の気相成長装置は、チャンバー本体１７およびチャンバー蓋１９の密着部周縁に沿って形成される開口１２ａを、外側から覆うガード７を有している。例文帳に追加

The vapor deposition equipment has a guard 7 covering an opening 12a, formed along a contact part peripheral edge of a chamber body 17 and a chamber cover 19, from outside. - 特許庁

薄膜が気相成長される半導体基板Ｗの外周縁部Ｗ１を支持する形状の座ぐり２０を有するサセプタ２をクリーニングする異物除去用ウェーハ１である。例文帳に追加

A wafer 1 for removing foreign matter cleans off a susceptor 2 having the spot facing 20 of a shape supporting the outer peripheral edge W1 of a semiconductor substrate W where a thin film is vapor-phase grown. - 特許庁

気相成長装置のサセプタの凹部においてシリコンウェーハの移動を防止し、ウェーハの周縁部が凹部の内周面に接触することを防止してそのウェーハの割れを回避する。例文帳に追加

To avoid cracking of a silicon wafer by preventing the silicon wafer from moving in a recessed portion of a susceptor of a vapor deposition apparatus and thus preventing a circumferential edge of the wafer from coming into contact with an inner peripheral surface of the recessed portion. - 特許庁