固有半導体性の英語

電解めっき成長の添加剤固有特性の評価装置、電解めっき方法、及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

APPARATUS FOR EVALUATING INHERENT CHARACTERISTIC OF ADDITIVE ON GROWTH IN ELECTROLYTIC PLATING, ELECTROLYTIC PLATING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体装置は、固有のＩＤ情報が付与された電子機器が有する認証情報を用いて当該電子機器の正当性を判定する。例文帳に追加

The semiconductor device determines the validity of electronic equipment with unique ID information assigned thereto by use of authentication information owned by the electronic equipment. - 特許庁

チップ固有の識別番号のように、セキュリティが必要なデータを格納できる不揮発性半導体記憶装置を実現する。例文帳に追加

To provide a non-volatile semiconductor storage device capable of storing data, which require security, like an identification number peculiar for a chip. - 特許庁

樹脂成分への分散性に優れ、体積固有抵抗値が高く、遮光性に優れた半導体封止材を形成することのできる半導体封止材用の黒色着色剤として好適なカーボンブラック着色剤およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a carbon black colorant excellent in dispersibility into resin components, having high volume specific resistance value, forming semiconductor sealing material excellent in light blocking effect and suitable for a black colorant for semiconductor sealing material, and to provide a method for producing the colorant. - 特許庁

半導体装置の外形寸法やリード形状が異なっても、その固有データを切り替えることにより対応でき、かつ、半導体装置の反りの影響を受けることなく、安定したリード形状を得ることのできる構成が簡素で生産性が高い半導体装置のリード成形方法及びその装置を提供すること。例文帳に追加

To provide the lead forming method of a semiconductor device in simple constitution with high productivity capable of coping with the difference of the external shape dimension of the semiconductor device or a lead shape by switching the intrinsic data, and obtaining a stable lead shape without being affected by the warp of the semiconductor device, and the lead forming device. - 特許庁

微小な球状半導体素子表面の微細な曲面あるいは平面に、オーミックな接触抵抗と固有抵抗が小さい微小な電極を、内部短絡させることなく高精度で生産性良く形成することを目的とする。例文帳に追加

To form a minute electrode, having small ohmic contact resistance and inherent resistance, on the minute curved surface or plane of the surface of a minute spherical semiconductor element with high accuracy and good productivity without generating internal short-circuit. - 特許庁

実際の半導体集積回路におけるセル固有の条件をできるだけ忠実に反映し、個々のセルのノイズ耐性をより正確に見積もり、必要かつ十分な基準でノイズエラー判定をすること。例文帳に追加

To reflect conditions specific to a cell in an actual semiconductor integrated circuit as faithfully as possible, to more accurately estimate noise resistance of each the cell, and to decide a noise error under a necessary and sufficient standard. - 特許庁

半導体集積回路を構成するＭＯＳ閾値電圧や寄生容量などの特性ばらつきに起因する過渡応答変動を複数回のサンプリングによってチップ固有の識別情報を生成する。例文帳に追加

The identifying information of individual chip is generated by conducting a plurality of samplings of transitional response fluctuation resulting from variations in characteristics, such as threshold voltage and parasitic capacitance of MOS configuring a semiconductor integrated circuit. - 特許庁