埋込みチャネル型の英語

ＭＯＳ型の固体撮像装置において、増幅トランジスタを埋込みチャネル型且つ第１導電型のＭＯＳトランジスタで形成し、ゲート電極２６を第２導電型のポリシリコンで形成した構成とする。例文帳に追加

This MOS-type solid-state image pickup device is produced by forming an amplifying transistor with an embedding channel-type and first conductivity-type MOS transistor and by forming a gate electrode 26 with a second conductivity-type polysilicon. - 特許庁

不純物拡散層１８、第１のチャネル領域２０ａおよび第１のｎ^+型フローティングエミッタ領域２２ａの下端部には、埋込み絶縁層７０が形成されている。例文帳に追加

A buried insulation layer 70 is formed at the lower end part of the impurity diffused layer 18, the first channel region 20a and the first n+ type floating emitter region 22a. - 特許庁

複数ゲート電界効果トランジスタ構造のトランジスタチャネルをその中に形成するためのフィン状構造を持ち、フィン状構造がＳＯＩ型構造の少なくとも１つの活性半導体層から、ＳＯＩ型構造の埋込み絶縁体上に形成されてなる理想的な複数ゲート電界効果トランジスタ構造と、その製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an ideal Multiple Gate Field Effect transistor structure with a fin-like structure for forming therein a transistor channel of the Multiple Gate Field Effect transistor structure, the fin-like structure being formed from at least one active semiconductor layer of a SOI type structure on a buried insulator of the SOI type structure, and to provide a method for fablicating same. - 特許庁

該方法は、少なくとも１つの活性半導体層、埋込み絶縁体、およびキャリア基板を含むＳＯＩ型基板を用意するステップと、複数ゲート電界効果トランジスタ構造のトランジスタチャネルのための領域を形成するフィン状構造を、半導体層から前記絶縁体層上に形成するステップとを含む。例文帳に追加

The method for fablicating the Multiple Gate Field Effect transistor structure includes the steps of preparing the SOI type substrate having at least one active semiconductor layer, the buried insulator and a carrier substrate, and forming from the semiconductor layer the fin-like structure on the insulator layer, the fin-like structure forming a region for the transistor channel of the Multiple Gate Field Effect transistor structure. - 特許庁