埋込み絶縁体の英語

ヘテロ接合トランジスタ１０は、埋込み半導体領域２４、上面埋込み絶縁膜３４、第１半導体領域４２、第２半導体領域４４、ゲート電極４８が順に形成されている構造を備えている。例文帳に追加

A hetero junction transistor 10 has such structure as an embedded semiconductor region 24, an upper surface embedded insulating film 34, a first semiconductor region 42, a second semiconductor region 44, and a gate electrode 48, are sequentially formed. - 特許庁

絶縁スペーサ４の埋込み導体４ｕ〜４ｗを真空バルブの支持手段として用い、真空バルブ１２ｕ〜１２ｗの固定軸２２を埋込み導体に電気的及び機械的に接続する。例文帳に追加

By use of the built-in conductors 4u to 4w of the insulating spacer 4 as a housing means for the vacuum valves, fixing shafts 22 of the vacuum valves 12u to 12w are electrically and mechanically connected to the built-in conductors. - 特許庁

埋込み半導体領域２４は、ｎ型の窒化ガリウム（GaN）であり、周囲の半導体領域から電気的に絶縁されている。例文帳に追加

The embedded semiconductor region 24 is n-type gallium nitride (GaN) electrically insulated from a surrounding semiconductor region. - 特許庁

パターン形成された埋込み絶縁体層を異なる深さに含む、改善されたセミコンダクタ・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate which has a patterned buried insulator layer included in differing depths. - 特許庁

下側半導体層２０の埋込み絶縁層３０と接する面の一部に凹部６６が形成されている。例文帳に追加

A recess 66 is formed on a part of the surface on which the lower semiconductor layer 20 contacts the buried insulating layer 30. - 特許庁

層間絶縁膜の埋込み特性悪化による短絡の問題、サイドウォールスペーサの絶縁不良の問題、および、半導体装置全体の厚み増大の問題を解消する。例文帳に追加

To solve the problems of a short circuit due to deterioration in the burying characteristics of an interlayer insulation film, incomplete insulation of a sidewall spacer and increase in the overall thickness of a semiconductor device. - 特許庁

半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された埋込み絶縁膜２と、埋込み絶縁膜２上に形成された活性領域３０と、活性領域３０の表層部分に選択的に埋込まれた部分分離絶縁膜４と、活性領域３０に形成されたダイオード素子とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a buried insulating film 2 formed on the semiconductor substrate 1, an active region 30 formed on the buried insulating film 2, a partial separation insulating film 4 buried selectively in the surface layer part in the active region 30, and a diode element formed in the active region 30. - 特許庁

下側半導体層と埋込み絶縁層と上側半導体層が積層した積層体を有する半導体装置の耐圧を向上させることを目的としている。例文帳に追加

To improve the breakdown voltage of a semiconductor device including a stack in which a lower semiconductor layer, a buried insulating layer, and an upper semiconductor layer are stacked. - 特許庁