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埋込み絶縁体の英語
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英訳・英語 buried insulator
「埋込み絶縁体」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 45件
トレンチ絶縁分離部50の第1埋込み導電体52とトレンチ部60の第2埋込み導電体62は電気的に絶縁されている。例文帳に追加
The first embedded conductor 52 of the trench insulated separation portion 50 and the second embedded conductor 62 of the trench portion 60 are electrically isolated. - 特許庁
第2半導体層において埋込み絶縁層沿って寄生MOS素子のチャネル領域が形成される。例文帳に追加
In addition, in the second semiconductor layer, a parasitic MOS channel region is formed along a buried insulating layer. - 特許庁
この厚いシリコン酸化膜(第2の絶縁膜)25aによって埋込み絶縁層12と半導体層13との界面への酸素の侵入を防ぐ。例文帳に追加
The thick silicon oxide film (second insulating film) 25a prevents oxygen from entering an interface between an embedded insulating layer 12 and the semiconductor layer 13. - 特許庁
半導体ウェハ100は、半導体バルク10と、半導体バルク上に設けられた第1の埋込み絶縁層20と、第1の埋込み絶縁層上に設けられた第1の半導体層30と、第1の半導体層上に設けられた第2の埋込み絶縁層40と、第2の埋め込み絶縁層上に設けられた第2の半導体層50とを備えている。例文帳に追加
The semiconductor wafer 100 includes a semiconductor bulk 10, a first embedded insulating layer 20 provided on the semiconductor bulk, a first semiconductor layer 30 provided on the first embedded insulating layer, a second embedded insulating layer 40 provided on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer 50 provided on the second embedded insulating layer. - 特許庁
絶縁体22による埋込み工程及び絶縁体22のコア24への挿入工程を容易化するために、略U字形の電線21A〜21Dの脚部のつなぎ部75も、絶縁体22から露出している。例文帳に追加
In order to facilitate an embedding process by the insulator 22 and an insertion process into the core 24 of the insulator 22, a connection part 75 of the legs of the substantially U-shaped electric wires 21A to 21D is also exposed from the insulator 22. - 特許庁
半導体装置10は、下側半導体層20と埋込み絶縁層30と上側半導体層40が積層したSOI基板50を有する。例文帳に追加
A semiconductor device 10 includes an SOI substrate 50 in which a lower semiconductor layer 20, a buried insulating layer 30, and an upper semiconductor layer 40 are stacked. - 特許庁
転写ロール1は、金属シャフト11と、金属シャフト上にある絶縁基体10と、前記基体上に配置された複数の埋込み電極8と、複数の埋込み電極を囲む順応性半導体層9とを備える。例文帳に追加
The transfer roll 1 is provided with a metal shaft 11, an insulating substrate 10 on the metal shaft, a plurality of embedded electrodes 8 arranged on the substrate and a conformable semiconductive layer 9 surrounding the embedded electrodes. - 特許庁
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「埋込み絶縁体」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 45件
ヘテロ接合トランジスタ10は、埋込み半導体領域24、上面埋込み絶縁膜34、第1半導体領域42、第2半導体領域44、ゲート電極48が順に形成されている構造を備えている。例文帳に追加
A hetero junction transistor 10 has such structure as an embedded semiconductor region 24, an upper surface embedded insulating film 34, a first semiconductor region 42, a second semiconductor region 44, and a gate electrode 48, are sequentially formed. - 特許庁
絶縁スペーサ4の埋込み導体4u〜4wを真空バルブの支持手段として用い、真空バルブ12u〜12wの固定軸22を埋込み導体に電気的及び機械的に接続する。例文帳に追加
By use of the built-in conductors 4u to 4w of the insulating spacer 4 as a housing means for the vacuum valves, fixing shafts 22 of the vacuum valves 12u to 12w are electrically and mechanically connected to the built-in conductors. - 特許庁
埋込み半導体領域24は、n型の窒化ガリウム(GaN)であり、周囲の半導体領域から電気的に絶縁されている。例文帳に追加
The embedded semiconductor region 24 is n-type gallium nitride (GaN) electrically insulated from a surrounding semiconductor region. - 特許庁
パターン形成された埋込み絶縁体層を異なる深さに含む、改善されたセミコンダクタ・オン・インシュレータ(SOI)基板を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate which has a patterned buried insulator layer included in differing depths. - 特許庁
下側半導体層20の埋込み絶縁層30と接する面の一部に凹部66が形成されている。例文帳に追加
A recess 66 is formed on a part of the surface on which the lower semiconductor layer 20 contacts the buried insulating layer 30. - 特許庁
層間絶縁膜の埋込み特性悪化による短絡の問題、サイドウォールスペーサの絶縁不良の問題、および、半導体装置全体の厚み増大の問題を解消する。例文帳に追加
To solve the problems of a short circuit due to deterioration in the burying characteristics of an interlayer insulation film, incomplete insulation of a sidewall spacer and increase in the overall thickness of a semiconductor device. - 特許庁
半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板1上に形成された埋込み絶縁膜2と、埋込み絶縁膜2上に形成された活性領域30と、活性領域30の表層部分に選択的に埋込まれた部分分離絶縁膜4と、活性領域30に形成されたダイオード素子とを備える。例文帳に追加
The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a buried insulating film 2 formed on the semiconductor substrate 1, an active region 30 formed on the buried insulating film 2, a partial separation insulating film 4 buried selectively in the surface layer part in the active region 30, and a diode element formed in the active region 30. - 特許庁
下側半導体層と埋込み絶縁層と上側半導体層が積層した積層体を有する半導体装置の耐圧を向上させることを目的としている。例文帳に追加
To improve the breakdown voltage of a semiconductor device including a stack in which a lower semiconductor layer, a buried insulating layer, and an upper semiconductor layer are stacked. - 特許庁
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buried insulator
英和専門語辞典
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