基礎吸収波長の英語

このＩｎＡｓＳｂは、ＩｎＡｓ_1-xＳｂ_xにおける組成比ｘが０．９以上であって、基礎吸収端波長が少なくとも９μｍ以上である。例文帳に追加

This InAsSb single crystal has ≥0.9 composition ratio (x) in InAs1-xSbx and has at least ≥9 μm basic absorption edge wavelength. - 特許庁

光吸収層は、活性層の発光ピーク波長よりも短い基礎吸収端波長と、クラッド層よりも小さいバンドギャップエネルギーを有している。例文帳に追加

The light absorbing layer has a fundamental-absorbing-edge wavelength shorter than the light-emitting peak-wavelength of the active layer, and has a band-gap energy smaller than that of the clad layer. - 特許庁

この単結晶は、液相成長法を用いて作製されるが、その特性は従来から知られるものと全く異なっており、且つ、基礎吸収端波長が長波長側へシフトしている。例文帳に追加

The single crystal is made by using a liquid phase method and has its characteristics completely different from those of conventional known single crystal and the basic absorption wavelength is shifted to a longer wavelength side. - 特許庁

これにより、ＭＱＷ波長制御層１６の基礎吸収が小さく、電流注入によるＭＱＷ波長制御層１６の屈折率変化を大きくすることができる。例文帳に追加

Thus, basic absorption in the MQW wavelength control layer 16 can be reduced and the refraction factor change can be enlarged in the MQW wavelength control layer 16 caused by the current injection. - 特許庁

基礎吸収端が２５０〜２６０ｎｍの範囲にあり、厚さ０．４ｍｍにおける３１０〜６２０ｎｍの波長領域（紫外光領域及び可視光領域）での内部透過率が８０％以上の光透過率に優れたバルクの酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a bulky gallium oxide single crystal having excellent light transmittance, in which the wavelength at the fundamental absorption end is the range of 250 to 260 nm and the internal transmittance is ≥80% in the wavelength region (ultraviolet region and visible light region) of 310-620 nm in the thickness of 0.4 mm. - 特許庁

プラズマ発生のための技術的及び金銭的な負担が実質的に増加されず、ＥＵＶ源の放出出力がシリコンのＬ吸収端よりも高い波長領域内で増加される、放射線放出するプラズマを基礎にして極紫外放射線を発生させるための新たな可能性を見つけること。例文帳に追加

To find new possibility for generating extreme ultraviolet rays based on plasma radiating radiant rays wherein technical and financial loads for plasma generation are not practically increased, and the radiation output of an EUV source is increased in a wavelength region higher than the L absorption edge of silicon. - 特許庁