塩素37の英語

内槽（洗濯槽）４に対して、水と接触することにより次亜塩素酸を徐々に放出する固体３７を設置する設置部を具え、その固体３７から放出された次亜塩素酸を含む水を内槽４内に供給することにより、次亜塩素酸による殺菌作用で、内槽４や洗濯物における菌の繁殖が抑制されるようにした。例文帳に追加

An insullation part for installing a solid 37 for gradually discharging hypochlorous acid by coming into contact with water is provided at an inner tub (washing tub) 4, water containing the hypochlorous acid being discharged from the solid 37 is supplied into the inner tub 4, thus suppressing the breeding of germs in the inner tub 4 and washing. - 特許庁

第１の室３５には麦飯石を主成分とする微粉末を焼結して形成されたセラミックの粒状体４が、第２の室３６にはマグネシウムの粒状体５と塩素除去剤である亜硫酸カルシウムの粒状体６が、それぞれ前記仕切壁３７で区分けして装填されている。例文帳に追加

A ceramic granular material 4, which is formed by sintering a fine powder based on granite porphyry, and both of a granular material 5 of magnesium and a granular material 6 of calcium sulfite being a dechlorinating agent are respectively charged in the first and second chambers 35 and 36 so as to be partitioned by the partition wall 37. - 特許庁

シリコン基板１を超純水で５分間リンス（洗浄）した後、このシリコン基板１を、２０３℃に加熱した濃度７２．４vol.％の過塩素酸水溶液８に３７分間浸漬し、シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜５を形成する。例文帳に追加

After the silicon substrate is rinsed with an extrapure water for 5 minutes, the silicon substrate 1 is immersed in a perchloric acid water solution of 72.4 vol% concentration heated at 203°C for 37 minutes, to form a silicon oxide film 5 on the surface of the silicon substrate 1. - 特許庁