室温成長の英語

成長終了後、固溶半導体発光材料の取り出しは、各部の温度が室温まで降下した後、真空槽内を適当なガス、例えば、窒素によりパージすることにより適当な形状の薄膜を製造する。例文帳に追加

After growth is terminated, the solid solution semiconductor light emitting material is taken out after the temperature of each part drops to the room temperature, and then the inside of a vacuum tank is purged with an appropriate gas, for example, nitrogen, to manufacture an thin film of an appropriate form. - 特許庁

セラミック基体の表層部にのみＡｌ成分濃化層を形成することで、セラミック基体表層部における窒化珪素質主相粒子の成長が抑制され、破壊の起点となりうる異常成長した粒子が生じにくくなることから、強度、特に室温強度のばらつきを生じにくくなる。例文帳に追加

By forming A1 ingredient thickened layer only on the surface layer of the ceramic base, growth of main-phase particles of silicon nitride is restrained, and so, there will scarcely be any abnormally grown particles generated which can be a starting point of destruction, which means that fluctuation of strength, especially at room temperature, is hardly generated. - 特許庁

水分吸湿を抑えることで室温での長期保存安定性が得られ、また良好な乳化状態が担保され、尚且つ、昆虫成長制御（ＩＧＲ）系農薬に対して抵抗性を有した害虫への効力増強が付与される農薬製剤を提供すること。例文帳に追加

To provide an emulsified agrochemical agent presenting long term preservation stability by suppressing moisture absorbency, maintaining a good emulsified state and adding strong effect to insects resistant to insect growth regulation (IGR)-based agrochemicals. - 特許庁

水分吸湿を抑えることで室温での長期保存安定性が得られ、また良好な乳化状態が担保され、尚且つ、昆虫成長制御（ＩＧＲ）系農薬有効成分に対して抵抗性を有した害虫への効力増強が付与される農薬乳剤を提供すること。例文帳に追加

To provide an emulsified agrochemical agent presenting long term preservation stability by suppressing moisture absorbency, maintaining a good emulsified state and adding strong effect to insects resistant to insect growth regulation (IGR)-based agrochemicals. - 特許庁

さらに注入を続け、触媒金属の固溶限界値以上に炭素を導入した後、基体２０を室温まで冷却すると触媒金属を核として炭素が析出し、基体２０上面にカーボンナノチューブ２３を成長させることができる。例文帳に追加

The injection is continued further to introduce the carbon up to more than the solid solubility limit value of the catalyst metal, and then the substrate 20 is cooled down to room temperature to crystallize the carbon on the catalyst metal as nuclei, thus growing carbon nanotubes 23 on the surface of the substrate 20. - 特許庁

カソードベース基板の中に直接炭素系電子放出素子を作製する際に、室温〜７００℃の熱サイクルをもつ炭素系電子放出材料成長プロセスに耐えうるカソードベース基板構造を使用した炭素系材料電子放出源表示装置の作製方法の提供。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a carbon-based material electron emission type display using a cathode base substrate structure capable of withstanding a growth process of a carbon-based electron emission material with a heat cycle from room temperature to 700 °C when directly manufacturing a carbon-based electron emission element in a cathode base substrate. - 特許庁

サファイア単結晶上にＡｌＮからなる成長下地層をエピタキシャル形成してなる下地基板を製造装置内に載置（ステップＳ１）した後、室温の状態で水素ガスの供給を開始（ステップＳ２）し、さらに昇温を開始する（ステップＳ３）。例文帳に追加

An underlaying substrate obtained by epitaxially forming a growing underlaying layer, consisting of AlN on a sapphire single crystal is placed in a manufacturing apparatus (step S1), then supply of hydrogen gas is started in a state of room temperature (step S2), and further rise in the temperature is started (step S3). - 特許庁

カバー層108によって、成長終了後に室温まで降温する間、PH_3雰囲気とすることができるため、埋め込み層106、コンタクト層107中へ水素ラジカルの混入を防止する事が可能となり、アクセプタ濃度の低下を防ぐことができる。例文帳に追加

PH3 atmosphere can be achieved until temperature increases to a room temperature after the growth is completed by the cover layer 108, mixture of hydrogen radicals into the embedding layer 106 and the contact layer 107 can be prevented, thus preventing acceptor concentration from decreasing. - 特許庁