射線方位角の英語

偏光方位角補償層３６は、マイクロレンズアレイ４０及びＴＦＴ配線パターン４６とによって回折現象が生じても、各方位及び各極角の入射光線の偏光面を出射側偏光板３７の吸収軸と平行にすることで光漏れを防ぎ、消光比を高める。例文帳に追加

A polarization azimuth angle compensation layer 36 prevents light leakage by making polarization planes of incident beams of respective bearings and respective polar angles be parallel to the absorption axis of an emission side polarizing plate 37 and heightens an extinction ratio even when the diffraction phenomenon is caused by the microlens array 40 and a TFT wiring pattern 46. - 特許庁

送信点１０１を中心として離散角度Δθの間隔で擬似光線が放射する方向を求め、送信点１０１を中心として離散角度ΔθａのＮ個の方位に分割して放射グループ１からＮまでを作成する。例文帳に追加

Directions in which artificial rays radiate, are obtained at an interval defined by a discrete angle Δθ centering a transmitting point 101, and radiation groups 1-N are created by dividing it into N directional areas defined by a discrete angle Δθa centering the transmitting point 101. - 特許庁

光線は、導光板１１を介して非正三角形レンズ１３へ導かれ、非正三角形レンズ１３の全反射により特定の方位へ導かれ、また、非正三角形レンズ１３により放射される光束は導光板１１の特定の位置から放射される。例文帳に追加

The light beams are guided to the non-equilateral triangle lens 13 through the light guide plate 11, guided to a specific direction by total reflection of the non-equilateral triangle lens 13, and light flux irradiated by the non-equilateral triangle lens 13 is irradiated from a specific position of the light guide plate. - 特許庁

該基盤は１０、（ａ）当接片１１を形成し、（ｂ）反射板と水平角度をなす水平片１２を形成すると共に、方位基準線１２ａを描き、方位磁石１２ｂ及び透過窓１２ｃを配設し、（ｃ）垂直片１３を形成すると共に下げ振り１３ａを吊設し、仰角線１３ｃを描いて成る。例文帳に追加

In the base 10, an abutting piece 11 is formed (a), a horizontal piece 12 is formed at a horizontal angle with respect to a reflecting plate, an azimuth reference line 12a is drawn, an azimuth magnet 12b and a window 12c are disposed (b) a vertical piece 13 is formed, a weight 13a is hung and an elevation angle line 13c is drawn (c). - 特許庁

凹凸形状を有し、特定の方位角方向に偏って法線方向が分布する反射電極の、傾斜角が０〜２度および／または１０度以上の領域に、開口部を形成してバックライトの光を透過させる。例文帳に追加

An opening part is formed to transmit the light of a backlight in a region in which the tilt angle of a reflective electrode which has a rugged shape and distribution in a normal direction inclined in a specific azimuth angle direction is 0 to 2 degrees and/or 10 degrees or more. - 特許庁

モノクロメータ１０をＬ形の支持台１２に載せるときの姿勢を変えることで反射の面方位を変えることができ、モノクロメータ１０をω回転させることでＸ線の入射角を変えることができる。例文帳に追加

The face direction of reflection can be changed by changing the attitude of the monochromator 10 in placing on an L-shaped support table 12, and the incident angle of X-ray can be changed by ω-turn the monochromator 10. - 特許庁

結晶方位軸測定装置は、インゴットの中心軸まわりの回転角度位置を１８０゜をなす第１及び第２の角度位置に設定してインゴットを旋回させ、反射Ｘ線量が最大となるまでの第１及び第２の旋回角度Ｙ，Ｙ’を測定する。例文帳に追加

In the crystal orientation axis measuring apparatus, the rotation angle positions around the central axis of an ingot are set in a first angle position and a second angle position which form 180°, the ingot is swiveled, and a first swivel angle Y and a second swivel angle Y' until a reflected X-ray amount becomes maximum are measured. - 特許庁

中心線直角断面を円形穴として保持室を形成した保持体１０の中心線上に、順次、半導体レーザー光源２１、集光レンズ系２３、前記反射鏡Ｍとを配設保持し、半導体レーザー光源から放射したレーザー光を、中心線と直交する全方位へ反射して照射するようにしたレーザー照射装置。例文帳に追加

This laser irradiating device L has a semiconductor laser light source 21, a condenser lens system 23, and the reflecting mirror M arranged and held in order on the center line of a holder 10 forming a hold chamber, which is sectioned circularly at right angles to the center line and reflects the laser light emitted by the semiconductor laser light in all azimuths crossing the center line at right angles for irradiation. - 特許庁