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層層注入の英語
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「層層注入」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 3354件
イオン注入工程では、注入阻止層が形成された炭化珪素基板に注入阻止層をマスクとしてイオンを注入する。例文帳に追加
In the ion implantation process, the ions are implanted to the silicon carbide substrate where the implantation inhibition layer is formed with the implantation inhibition layer as the mask. - 特許庁
注入阻止層除去工程では、イオン注入工程においてイオンが注入された炭化珪素基板から注入阻止層を除去する。例文帳に追加
In the implantation inhibition layer removing process, the implantation inhibition layer is removed from the silicon carbide substrate to which the ions are implanted in the ion implantation process. - 特許庁
積層ウェハの接着剤注入装置および接着剤注入方法例文帳に追加
ADHESIVE INJECTION DEVICE OF LAMINATE WAFER AND ADHESIVE INJECTION METHOD - 特許庁
ホール注入電極上に、ホール注入層を形成する。例文帳に追加
A hole-injecting layer is formed on the hole-injecting electrode. - 特許庁
有機ルミネセンス層、ホール伝達層、ホール注入層、電子伝達層および電子注入層の多層構造がパターン化される。例文帳に追加
The multiplayer structure of the organic luminescent layer, hole transfer layer, hole injection layer, electron transfer layer and electron injection layer is patterned. - 特許庁
有機化合物層10は、ホール注入層3、ホール輸送層4、発光層5、ホール阻止層6および電子注入層7からなる。例文帳に追加
The organic compound layer 10 is formed of a hole injection layer 3, a hole transporting layer 4, an emission layer 5, a hole arresting layer 6 and an electron injection layer 7. - 特許庁
有機層10は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層および電子注入層の積層構造からなる。例文帳に追加
The organic layer 10 has a lamination structure of a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, and an electron injection layer. - 特許庁
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「層層注入」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 3354件
有機EL素子50は、基板1上においてホール注入電極2、ホール注入層3、ホール輸送層4、発光層5、電子輸送層6、電子注入層7および電子注入電極8の積層構造を有する。例文帳に追加
An organic EL element 50 has a lamination structure of a hole injection electrode 2, a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, a light-emitting layer 5, an electron transport layer 6, an electron injection layer 7, and an electron injection electrode 8, on a substrate 1. - 特許庁
イオンを注入する層数は1層あるいは2層以上とする。例文帳に追加
The number of layers to be ion-implanted is one or more layers. - 特許庁
単結晶Si基10の表面(主面)に水素イオンを注入し、水素イオン注入層(イオン注入ダメージ層)11を形成する。例文帳に追加
Hydrogen ions are implanted in the surface (major surface) of a single crystal Si substrate 10 to form a hydrogen ion implantation layer (ion implantation damage layer) 11. - 特許庁
炭化珪素半導体装置の製造方法は、注入阻止層形成工程と、イオン注入工程と、注入阻止層除去工程とを備えている。例文帳に追加
The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor device is provided with an implantation inhibition layer forming process, an ion implantation process, and an implantation inhibition layer removing process. - 特許庁
基板2の上に陰極3、絶縁層4、電子注入層5、電子輸送層6、発光層7、正孔注入輸送層8を形成する。例文帳に追加
A negative electrode 3, an insulating layer 4, an electron injection layer 5, an electron transporting layer 6, a light emitting layer 7 and a hole infection transport layer 8 are formed on a substrate 2. - 特許庁
積層体は、電子輸送層,発光層,正孔輸送層,正孔注入層を有するものである。例文帳に追加
The laminate has an electron transport layer, a luminous layer, a hole transport layer and a hole injection layer. - 特許庁
不純物イオン注入層の電気的活性化方法例文帳に追加
ELECTRICAL ACTIVATION METHOD OF IMPURITY ION IMPLANTED LAYER - 特許庁
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lit-par-lit injection
日英・英日専門用語
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