希ガス元素の英語

例えば、フッ素含有ガスを希ガスとを混合させ放電励起することによって生成する励起状態の希ガス元素と活性なフッ素元素とを反応させて希ガスフッ素化合物を得る。例文帳に追加

For example, a rare gas element in an excitation state being generated by mixing a gas containing fluorine with the rare gas for discharge excitation is allowed to react with the active fluorine element, thus obtaining the rare gas fluorine compound. - 特許庁

希ガスを活性なハロゲン元素と反応させて希ガスハロゲン化合物とし、この希ガスハロゲン化合物を吸着材で捕集し、希ガスを回収する。例文帳に追加

A rare gas is allowed to react with an active halogen element as a rare gas halogen compound, and the rare gas halogen compound is captured by an adsorption material, thus recovering the rare gas. - 特許庁

多結晶半導体膜形成後、希ガス元素イオンを半導体膜に注入する。例文帳に追加

After forming a polycrystalline semiconductor film, ions of noble gas element are injected into the semiconductor film. - 特許庁

非晶質構造を有する半導体膜の結晶化に用いた触媒元素を除去するために、希ガス元素を添加した領域又は希ガス元素が添加された半導体膜を形成し、加熱処理を施してそこに触媒元素を移動させ、ゲッタリングを完遂させるものである。例文帳に追加

To remove catalyst element used for crystallization of a semiconductor film having an amorphous structure, a region whereto rare gas element is added, or a semiconductor film whereto rare gas element is added is formed, heat treatment is carried out, and catalyst element is moved there and gettering is accomplished. - 特許庁

基板Ｗに添加されるべき不純物元素を含む原料ガスと、水素ガスと、原料ガスを希釈するための希釈ガスと、を含む混合ガスがチャンバ１２に供給される。例文帳に追加

A gas mixture which contains a material gas containing an impurity element to be added to the substrate W, a hydrogen gas, and a diluent gas for diluting the material gas is supplied to the chamber 12. - 特許庁

本発明の排ガス浄化用触媒１は、希土類元素とアルカリ土類元素と貴金属とを含み、前記希土類元素の一部と前記アルカリ土類元素の一部とは複合酸化物を形成し、この複合酸化物と前記貴金属の一部とは固溶体を形成していることを特徴とする。例文帳に追加

The catalyst 1 for purifying the exhaust gas is characterized by containing a rare earth element, an alkaline earth element and a noble metal, wherein a part of the rare earth element and a part of the alkaline earth metal form a composite oxide, and wherein the composite oxide and a part of the noble metal form a solid solution. - 特許庁

Ｋｒ以上の原子量を有する希ガスを導入して、導入希ガスより重い金属元素を含む金属酸化物ターゲットを用い、ＬａＨｆＯ、ＬａＡｌＯ、ＺｒＡｌＯのように導入希ガスより重いＬａまたはＨｆなどの金属元素を含む金属酸化物絶縁膜をスパッタ成膜する。例文帳に追加

A noble gas having an atomic weight above Kr is introduced, and a metal oxide target containing a metal element which is heavier than the introduced noble gas is used to form, by sputtering, the metal oxide insulating film containing a metal element of La, Hf, etc., heavier than the introduced noble gas like LaHfO, LaAlO, and ZrAlO. - 特許庁

加熱下、炭素含有ガスおよび水素ガスを、一般式ＡＢＯ_３（式中、Ａは希土類元素およびアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも１種の元素を示し、Ｂは希土類元素を除く遷移元素およびＡｌから選ばれる少なくとも１種の元素を示す。）で示される複合酸化物からなる触媒と接触させて、カーボンナノチューブを製造する例文帳に追加

The carbon nanotubes are manufactured by bringing a carbon-containing gas and hydrogen gas into contact with the catalyst comprising a compound oxide represented by general formula ABO_3 (wherein A is at least one sort of element selected from among rare earth elements and alkaline earth metals; B is at least one sort of element selected from among transition elements excluding rare earth elements and Al) on heating. - 特許庁