引き出し電極系の英語

イオン引き出し電極系及びイオン注入装置例文帳に追加

ION EXTRACTION ELECTRODE SYSTEM AND ION IMPLANTATION DEVICE - 特許庁

イオン生成室と、該イオン生成室に隣接する引き出し電極と、該引き出し電極に隣接する接地電極から構成されるイオン引き出し電極系であって、少なくとも前記引き出し電極３ｂと接地電極３ｃの材質が、半導体材料からなることを特徴とするイオン引き出し電極系３。例文帳に追加

The ion extraction electrode system 3 comprises an ion generating chamber, a drawing electrode located adjacent to the ion-generating chamber, and a ground electrode adjacent to the extraction electrode, at least the extraction electrode 3b and the ground electrode 3c formed of semiconductive materials. - 特許庁

電極部１３と引き出し電極部３１との間に設けられたエポキシ系導電性接着剤７０は、電極部１３及び引き出し電極部３１を構成する金属元素種の如何に関わらず電極部１３及び引き出し電極部３１と強固に密着し、且つ、物理的及び化学的安定性に優れることから電極部１３と引き出し電極部３１との間の導通性を十分に確保し、維持する。例文帳に追加

An epoxy group conductive adhesive 70 applied between the electrode 13 and the extraction electrode 31 is tightly stuck to the electrode 13 and the extraction electrode 31 independently of metal element species composing the electrode 13 and the extraction electrode 31 and is excellent in physical and chemical stability, so that conductivity between the electrode 13 and the extraction electrode 31 can be sufficiently secured and maintained. - 特許庁

例えば、シリコン基板に不純物を注入する場合は、少なくとも引き出し電極と接地電極はシリコンからなるイオン引き出し電極系とする。例文帳に追加

For example, when the impurities are implanted into a silicon substrate, at least the extraction electrode and the ground electrode are made of silicon. - 特許庁

本荷電粒子線照射系は、荷電粒子を放射する光源９、引き出し電極１２、及び加速電極１１を備える。例文帳に追加

This irradiating system is equipped with a light source 9 to radiate a charged particle, an extraction electrode 12 and an acceleration electrode 11. - 特許庁

加えて、エポキシ系導電性接着剤７０が設けられていない電極部１３と引き出し電極部３１との間に配置されたシリコン系接着剤７５は、非導電性であることから、電極部１３と引き出し電極部３１との間の導電性の悪化に関与しない。例文帳に追加

In addition, a silicon group adhesive 75 applied to a space between the electrode 13 and the extraction electrode 31, to which the epoxy group conductive adhesive 70 is not applied, is non-conductive, and thereby is not responsible for conductivity deterioration between the electrode 13 and the extraction electrode 31. - 特許庁

水晶振動子３に引き出し電極及び励振電極を形成後、少なくとも下面側の引き出し電極３２、３４のみを局所的に熱風照射またはヒーター加熱により加熱し、下地金属層の金属をＡｕ層の表面に表面析出層として析出させ、その後、シリコーン系の導電性接着材を用いて基体の下面に収容・保持し、硬化させる。例文帳に追加

After drawer electrodes and exciting electrodes are formed at a crystal vibrator 3, at least only extraction electrodes 32 and 34 of the lower surface side are heated locally by hot-blast radiation or heater heating, and metal in a surface metal layer is deposited at the surface of an AU layer as a surface deposit layer, then it is accommodated and held for curing, at the lower surface of the base substrate using silicon conductivity adhesive. - 特許庁