引上電圧の英語

引上げ軸側と原料融液側との間に電圧を印加することに起因する引上げ結晶の有転位化を防止する。例文帳に追加

To prevent a first dislocation generation of a pulled crystal caused by applying voltage between the pull shaft and the raw material melt. - 特許庁

短絡の発生時に、ＩＧＢＴは、低オン状態電圧から引き上げられ、出力特性が引き上げられる。例文帳に追加

At the occurrence of a short circuit, IGBT a pulled up from a low on-state voltage, thereby improving the output characteristics. - 特許庁

出力段のＰＮＰトランジスタＱ７のベース電圧が上昇して、上限値ＶｕｐからＰＮＰトランジスタのエミッタ・ベース間の電圧降下を引いた電圧より大きくなると、トランジスタＱ６がオンし、トランジスタＱ７のベース電圧がそれ以上大きくならないように制限される。例文帳に追加

When the base voltage of an output stage PNP transistor Q7 rises and becomes higher than voltage which is subtracted drop voltage between emitter-base of the PNP transistor from the upper limit value Vup, the transistor Q6 turns on, and base voltage of the transistor Q7 is limited so as not to rise any more. - 特許庁

一方、弱め界磁制御時におけるｑ軸上の指令電圧ｖｑｃｃは、ｑ軸電圧設定部５４により、制限電圧ｖｍの２乗からｄ軸上の指令電圧ｖｄｃの２乗を引いたものの平方根として算出される。例文帳に追加

At the same time, the commanding voltage vqcc on a q-axis during the field-weakening control is calculated by a q-axis voltage setting unit 54 as the square root of the subtraction of the square of the commanding voltage vdc on the d axis from the square of a regulated voltage vm. - 特許庁

始動電圧クランプ回路５ｄは、共振用のインダクタＬ１に磁気結合された二次巻線Ｌ１ａからランプ電圧を検出しており、ランプ電圧が所定の上限値以上になると、スイッチング素子Ｑ２のゲート電圧を引き抜き、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の自励発振を停止させる。例文帳に追加

A start voltage clamp circuit 5d detects a clamp voltage from a secondary winding L1a connected electromagnetically to an inductor L1 for resonance, and extracts a gate voltage of the switching element Q2 when a lamp voltage comes to a prescribed upper limit or more, so as to stop self-excited oscillation of the switching elements Q1, Q2. - 特許庁

低電圧から高電圧への立ち上がり側を基準にして記録電極の低電圧区間の幅を設定して吸引制御により階調表現を行う。例文帳に追加

A breadth of a low voltage segment of recording electrodes is set on the basis of the rise side from a low voltage to a high voltage, and gradations are expressed by controlling suction. - 特許庁

ダイオード２３をトランジスタ２２のソース側に接続することにより、トランジスタ２２のソース側の電位をダイオード２３のオン電圧分だけ引き上げ、トランジスタに掛かるドレイン電圧を低電圧側にシフトした。例文帳に追加

By connecting the diode 23 to the source side of the transistor 22, the potential of the source side of the transistor 22 is increased by the one voltage of the diode 23, and a drain voltage applied to the transistor 22 is shifted to a low voltage side. - 特許庁

次に、一旦φＶPSを低い電圧にした後、直流電圧ＶPDに近い電圧に引き上げることで、ＭＯＳトランジスタＴ１に負の電荷を蓄積させる。例文帳に追加

Next, after ϕVPS is turned to low voltage once, a negative electric charge is stored in the MOS transistor T1 by increasing it up to the voltage approximate to the DC voltage VPD. - 特許庁