引張破壊の英語

この磁性塗剤は、引張り強度が接合強度よりも小さく設定されており、外力により破壊される場合には、界面剥離ではなく母材破壊が生じる。例文帳に追加

Tensile strength of this magnetic paint is set less than junction strength, so that when the generator is destructed by an external force, rather than interfacial separation but the destruction of a base material occurs. - 特許庁

薄膜／基材フィルムに引張りひずみが生じても、薄膜が容易に破壊されないように、薄膜の引っ張りに対する破壊ひずみを増大させることを課題とする。例文帳に追加

To increase breaking strain against the tension of a thin film in such a manner, even in the case tensile strain is generated in a thin film/base material film, the thin film is not easily broken. - 特許庁

これにより、ガラス基板内部の圧縮応力と引張り応力とのバランスがとれて、破壊強度が高くなる。例文帳に追加

Thus, the compressive stress and tensile stress in the inner part of the glass substrate are balanced, thereby enhancing the fracture strength. - 特許庁

引張強度１７００ＭＰａ以上の遅れ破壊特性に優れた高耐衝撃性鋼管の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING HIGH IMPACT RESISTANT STEEL PIPE EXCELLENT IN DELAYED FRACTURING CHARACTERISTIC OF 1,700 MPa OR MORE OF TENSILE STRENGTH - 特許庁

また、その製造方法はセラミックス被膜を被覆後、支持治具を引張り破壊して除去することを特徴とする。例文帳に追加

Also, the manufacturing method comprises removing the supporting tool by tension breakdown after the coating of the ceramic film. - 特許庁

溶接部での破壊の発生および伝播を防止した引張強さ800MPa以上の溶接鋼管を提供する。例文帳に追加

To provide a welded steel pipe in which the generation and propagation of fracture in the weld zone are prevented and which has ≥800 MPa tensile strength. - 特許庁

水素を侵入させた金属材料製の引張試験片に対して引張試験を行い、水素の影響を受けた非金属介在物を起点とする破壊を引張試験片に生じさせる。例文帳に追加

A tensile test is performed to a tensile test piece made of a metal material where hydrogen has penetrated, and destruction with a nonmetal inclusion affected by hydrogen as a starting point is generated in the tensile test piece. - 特許庁

硬化前の回路接続材料の引張破壊強さが０．１〜５Ｎ／ｍｍ^２で、かつ、引張破壊伸びが５０〜６００％であり、硬化後の回路接続材料のＴｇ（ガラス転移温度）が８０〜２００℃である回路接続材料。例文帳に追加

This circuit connection material has a tensile breakdown strength before the hardening of 0.1 to 5 N/mm^2, a tensile breakdown elongation of 50 to 600%, and a Tg (glass transition temperature) of circuit connection material after the hardening of 80 to 200°C. - 特許庁