弗化物添加の英語

半導体基板１０上に弗素添加酸化珪素膜をプラズマ気相成長法により形成する場合において、セラミックドーム部１とメタルチャンバ部２から構成された反応容器内部の少なくともセラミックドーム部内壁に弗化物からなる弗素耐性膜１５を形成する。例文帳に追加

When a fluorine-added silicon oxide film is to be formed on a semiconductor substrate 10 by the plasma vapor growth method, a fluorine- resistance film 15 that is made of fluoride is formed at least on the inner wall of a ceramic dome part in a reaction container being composed of a ceramic dome part 1 and a metal chamber part 2. - 特許庁

坩堝内に原料とともにスカベンジャーを添加し、融点以上の温度で溶融した後、徐々に結晶化させることで原料精製を行う工程を含む弗化物結晶の精製方法において、２５０ｍｍ以上の大口径坩堝の内径に対して結晶の厚さが０．２以上になるように原料を収容して精製することを特徴とする弗化物結晶の製造方法。例文帳に追加

In the method for purifying fluoride crystals comprising a raw materials refining process wherein a scavenger and raw materials are fed into a crucible and fused at temperatures over the melting point and gradually crystallized, the raw materials are purified by making the thickness of the crystals not less than 0.2 to the inside diameter of the large diameter crucible of 250 mm or larger. - 特許庁

添加するフラックスは、その融点を溶鋼の固相線温度以下とすること、その粒径を３５０μｍ以上とすること、及び、その組成をＣａＯ、ＳｉＯ_2 、及びＡｌ_2 Ｏ_3 を合計で５０〜９５mass％含有し、弗化物又はアルカリ酸化物を５〜３０mass％含有し、更に、ＣａＯとＳｉＯ_2 との比を１．５以上とすることが好ましい。例文帳に追加

Desirably, the added flux has a melting point of not higher than the solidus line temperature of the molten steel and has a grain diameter of not less than 350 μm and a composition containing 50-95 mass% CaO, SiO2 and Al2O3 in total, 5-30 mass% fluoride or alkali-oxide and further ≥1.5 ratio of CaO to SiO2. - 特許庁