強膜露出の英語

強誘電体メモリの製造方法では、下部電極材料膜１２上に形成された強誘電体材料膜１４を、下部電極材料膜１２が露出しないように、アンダーエッチングによってパターニングして、複数の強誘電体部２２と、アンダーエッチング残膜２４と、を形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing a ferroelectric memory, a ferroelectric material film 14 formed on a lower electrode material film 12 is patterned by underetching so as not to expose the lower electrode material film 12 to form a plurality of ferroelectric sections 22 and a residual underetched film 24. - 特許庁

マスター情報担体の表面に情報信号に対応する凹凸形状が形成され、前記凹凸形状の少なくとも凸部が強磁性薄膜により構成され、前記強磁性薄膜の表面に硬質保護膜が形成され、前記強磁性薄膜の側壁が露出している。例文帳に追加

Recessed/projecting shapes corresponding to the information signal are formed on the surface of the master information carrier, at least projecting parts of the recessed/projecting shapes are made of a ferromagnetic thin film, a hard protective film is formed on the surface of the ferromagnetic thin film, and side walls of the ferromagnetic thin film are exposed. - 特許庁

露出している頂面ｂ上から、常誘電体膜上のうち、板状部の主表面ａと常誘電体膜を介して対向する領域に亘って、強誘電体膜６９を形成する。例文帳に追加

A ferroelectric film 69 is formed on such an area that extends from the exposed protruding surface b to the part of the normal dielectric film that faces the plate-shaped principal surface a via the normal dielectric film. - 特許庁

また、酸化物強誘電体薄膜のように、表面が露出していない場合は、該薄膜の形成前に、該薄膜を形成する下地層の表面に、同様の活性酸素を照射する。例文帳に追加

When the surface is not exposed like an oxide ferroelectric thin film, the surface of the underlayer for forming the thin film is irradiated with the active oxygen before forming the thin film. - 特許庁

次に、この上部電極３５の露出面全体と、当該上部電極３５周辺の強誘電体膜３３´上とに下側からエッチングバリア膜３７と、レジストマスク４３とを順次形成する。例文帳に追加

Next, an etching barrier film 37 and a resist mask 43 are successively formed on the entire exposed surface of the upper electrode 35 and the ferroelectric film 33' around the upper electrode 35 from their lower side. - 特許庁

そして、レジスト膜２００を除去することにより、結晶種６５Ａを形成した際のダメージが加えられていない第１強誘電体膜７１ａが露出する。例文帳に追加

The first ferroelectric film 71a which is not subjected to damaging when the crystal seeds 65A are formed is exposed by removing the resist film 200. - 特許庁

この半導体装置では、強誘電体キャパシタＣａｐ上に成膜した絶縁性水素バリア膜１２に、上部電極１１の上面１１Ａの内側部１１Ａ-２を露出させる開口１２Ａを形成した。例文帳に追加

With respect to the semiconductor device, there is formed in an insulating hydrogen barrier film 12 formed on a ferroelectric capacitor Cap an opening 12A for exposing to the external an inside portion 11A-2 of a top surface 11A of an upper electrode 11 of the ferroelectric capacitor Cap. - 特許庁

研削処理などにより、この隆起している部分から優先的に、補強材１３１と共に絶縁膜１４０を除去することで、突起１２０を露出させるための開口１４３を絶縁膜１４０に形成する。例文帳に追加

The insulating film 140 is preferentially removed together with the reinforcing material 131 from the protruding portion by grinding treatment or the like, so that an opening 143 for exposing the protrusion 120 is formed in the insulating film 140. - 特許庁