後段加速の英語

生成されたイオンビームは、静電レンズ２１によって収束され、後段加速器２２によって加速され、四重極レンズ２３によって整形されて、処理室３１内に配置された半導体ウエハＷ上に照射される。例文帳に追加

The formed ion beam is converged by an electrostatic lens 21, is accelerated by an after-accelerator 22, is shaped by a quadrupole lens 23, and irradiates a semiconductor wafer W arranged in a process chamber 31. - 特許庁

出射ビームの運動量分散を小さくし、入射器として後段の円形加速器に荷電粒子を入射するための入射効率を改善した線形イオン加速器及びその設計方法の提供。例文帳に追加

To provide a linear ion accelerator in which injection efficiency is improved in order to make charged particles inject into a circular accelerator of the rear stage as an injection device by reducing the momental dispersion of emitting beams, and its design method. - 特許庁

制御装置は、入力トルクと入力回転加速度に応じて変速機入力軸の推定回転加速度ω_0 を設定し、それに応じて後段階の変速に移行させるための第２の係合要素Ｃ−２の解放を制御する。例文帳に追加

A control device sets estimated rotation acceleration ω_0 of an input shaft of a transmission in accordance with input torque and input rotation acceleration, and controls release of the second engagement element C-2 for transition to the post-stage speed change in accordance with that. - 特許庁

イオン注入装置１０は、半導体ウェハ１００を配置するプロセスチャンバ１２と、ソース部２４とイオンビーム選別部２６と後段加速部２８とからなり半導体ウェハ１００にイオンビームＩＢを照射するビームライン部１４と、ビームライン部１４の後段加速部２８にＨ_2ガスを供給するＨ_2ガス供給部１８とを備えている。例文帳に追加

The ion implanting apparatus 10 comprises a process chamber 12 for arranging a semiconductor wafer 100, a beam line part 14 having a source portion 24, an ion beam selecting portion 26 and a post stage accelerating portion 28 and irradiating an ion beam IB to the semiconductor wafer 100, and H2 gas supplying part 18 for supplying H2 gas to the post stage accelerating portion 28 of the beam line part 14. - 特許庁

イオンビーム６を放出するイオン源と、イオン選別用質量分離２、後段加速管３、Ｑレンズ系１５、偏向器１６などを経て処理室４が設置されている。例文帳に追加

This apparatus is provided with an ion gun 6 for ejecting an ion beam and a treatment room 4, through a mass separation machine 2 for selecting ions, a post-acceleration tube 3, a Q lens system 15 and a deflector 16. - 特許庁

対物レンズの上磁極を、対物レンズの上磁極以外の残部に対し電気的に絶縁し、一次電子ビームを後段加速する正の電圧を印加する走査形電子顕微鏡を提供する。例文帳に追加

A top magnetic pole of an objective lens is electrically insulated against the part of the lens other than that for the top magnetic lens, and a scanning electron microscope with positive voltage applied accelerating a primary electron beam post-deflection is provided. - 特許庁

制御装置は、変速機入力軸の目標回転加速度ω_0 を設定し、それに応じて後段階の変速に移行させるための第２の係合要素Ｃ−２の解放を制御する。例文帳に追加

In this control device, a target rotation acceleration ω_0 of an input shaft of the transmission is set, and release of the second engagement element C-2 for transfer to the second-stage speed change is controlled corresponding to it. - 特許庁

後段四重極６には前段四重極３に印加されるRF電圧よりも小さなRF電圧を印加してイオンガイドモードで動作させるとともに、イオンを加速するような直流バイアス電圧を印加する。例文帳に追加

A post-stage quadrupole 6 is operated under an ion guide mode by applying thereto an RF voltage smaller than the RF voltage applied to the pre-stage quadrupole 3, and such a DC bias voltage as accelerating ions is applied. - 特許庁