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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 機械工学英和和英辞典 > 応力集中係数の英語・英訳 

応力集中係数の英語

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英訳・英語 stress concentration factor


機械工学英和和英辞典での「応力集中係数」の英訳

応力集中係数


「応力集中係数」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 20



例文

破断起点溝50の応力集中係数は切り欠き部52および軸受け係止溝51の応力集中係数よりも大きくなっている。例文帳に追加

The stress concentration coefficient of the fracture starting point groove 50 is larger than the stress concentration coefficients of the cutout parts and bearing locking groove 51. - 特許庁

その距離とその応力集中部の応力拡大係数との間の線形関係に基づき、その距離からその応力拡大係数を決定する。例文帳に追加

Based on the linear relationship between the distance and the stress intensity factor at the stress concentration part, the stress intensity factor is determined from the distance. - 特許庁

部材の応力集中部から亀裂を検出しなくてもその応力集中部の応力拡大係数を更に高い精度で、更に簡便に測定でき、その応力集中部に亀裂が実際には生じていなくてもその応力集中部の疲労の程度を評価できる非破壊検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nondestructive inspecting method capable of more easily measuring a stress intensity factor at a stress concentration part at higher precision without detecting cracks at the stress concentration part of a member to evaluate the degree of fatigue at the stress concentration part even if the crack has actually not occurred at the stress concentration part. - 特許庁

形状的な応力集中部を備える樹脂成形品に対して所定の一定荷重を加えた場合に解析により得られる応力集中部での解析応力と、所定の破壊時間での上記解析応力を同様の破壊時間での形状的な応力集中部を備えない樹脂試験片での解析応力に近づけるための補正係数との間の相関関係を求める。例文帳に追加

This prediction method determines the correlation between analysis stress in the stress-concentrating section determined by analysis, when a predetermined fixed load is charged on the resin molded article having a geometrical stress-concentrating section and a correction coefficient for making the analysis stress in a predetermined breaking period approach the analysis stress, in a resin test piece that does not have geometrical stress-concentrating section during a similar breaking period. - 特許庁

各部品がガラス製であり線膨張係数が同一なので、接着部分に熱変形に起因する位置ずれ、応力集中が発生しない。例文帳に追加

Since the respective components are made of glass and have the same linear expansion coefficient, positional deviation or stress concentration due to thermal deformation does not occur on the adhesion part. - 特許庁

工程S15において、成長基板と半導体基板とは膨張係数が異なるので、応力集中し、互いに剥離する。例文帳に追加

In the step S15, stress is concentrated because the expansion coefficients of the growing substrate and the semiconductor substrate are different, thereby peeling off the growing substrate and the semiconductor substrate each other. - 特許庁

例文

この場合、第1境界部13eの応力集中係数は1(すなわち最小)になるため、第1境界部13e付近に発生する応力が小さくなり、シリンダ13の耐圧強度を高めることができる。例文帳に追加

In this case, since the stress concentration factor of the first boundary section 13e becomes one (i.e., minimum), the stress generated in the vicinity of the first boundary section 13e becomes smaller and the pressure resistance of the cylinder 13 can be increased. - 特許庁

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電気制御英語辞典での「応力集中係数」の英訳

応力集中係数


和英河川・水資源用語集での「応力集中係数」の英訳

応力集中係数


JST科学技術用語日英対訳辞書での「応力集中係数」の英訳

応力集中係数

Weblio専門用語対訳辞書での「応力集中係数」の英訳

応力集中係数

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Weblio英和対訳辞書での「応力集中係数」の英訳

応力集中係数

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Weblio例文辞書での「応力集中係数」に類似した例文

応力集中係数

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「応力集中係数」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 20



例文

アモルファス鉄心変圧器において、磁気回路断面内での磁束集中や、渦電流損の増大や、焼鈍時に変形防止用治具との間の熱膨張係数の差に起因して発生する応力などを抑える。例文帳に追加

To provide an amorphous iron core transformer in which magnetic flux concentration in a magnetic circuit section, an increase in eddy current loss, stress generated owing to a difference in coefficient of thermal expansion from an implement for deformation prevention in annealing, etc., are suppressed. - 特許庁

余盛止端部における応力集中係数K_tが1.0よりも大きくても、平滑材と同等の優れた疲労強度を有する溶接継手を提供する。例文帳に追加

To provide a welded joint having excellent fatigue strength equivalent to that of a flat and smooth material even if a stress concentration factor K_t at the toe of an excess metal is larger than 1.0. - 特許庁

物理的な曲げや熱膨張係数の違いによる応力が加わっても、機能的に最小限な構成要素のみで、特定のバンプへの応力集中を緩和し、半田バンプの破断を抑制できる半導体パッケージを実現する。例文帳に追加

To achieve a semiconductor package capable of reducing the concentration of stress on a specific bump and suppressing a fracture of a solder bump only by the functionally minimum number of components even when the stress caused by physical bending or a difference in a coefficient of thermal expansion is applied on the semiconductor package. - 特許庁

熱膨張係数の違いによる部品への応力集中を回避し、新たな信号線固定部材や固定構造を設けずに、簡単・安価かつ確実に信号線に作用する応力を支持し、メンテナンスも良好に行える内視鏡を得る。例文帳に追加

To provide an endoscope which prevents stress on its parts due to a difference in thermal expansion coefficient, does not need an additional material or structure for fixing a signal line to allow simple, low-priced, and reliable catching of the stress acting on the signal line, and can be kept in good maintenance. - 特許庁

高い静的バネ定数を維持しながら、低いバネ定数及び高い損失係数を同時に両立させ、容易にチューニングを行うことの可能なストラットマウントを提供する隔壁部への応力集中を防ぐと共に、当該隔壁部の損傷を抑制する。例文帳に追加

To provide a strut mount capable of satisfying both of a low spring constant and a high loss factor at the same time, and allowing easy tuning while maintaining a high static spring constant so as to prevent a stress concentration in a partition wall and to suppress the partition wall from being damaged. - 特許庁

少なくとも一部分に高周波焼入れによる硬化層を有する機械構造用部品において、該硬化層における旧オーステナイト粒の平均粒径GS(μm)と前記高周波焼入れを施した部位の応力集中係数αとの関係を式GS≦11−2×α(ただしα≧1.5)に従うものとする。例文帳に追加

Regarding the component for a machine structure in which at least a part comprises a hardened layer by induction hardening, the relation between the average grain size GS (μm) of old austenite grains in the hardened layer and the stress concentration coefficient α in the part subjected to the induction hardening satisfies the inequality GS≤11-2×α (wherein, α≥1.5). - 特許庁

ダミーチップ20は、熱膨張係数が半導体チップ10と同一又は近似する材料を用いて形成されるので、半導体チップ10のコーナー部の応力集中に起因するダメージが軽減され、接続信頼性が向上する。例文帳に追加

Since the dummy chips 20 are formed by using a material having the thermal expansion coefficient same as or similar to that of the semiconductor chip 10, damages caused by stress concentration of the corners of the semiconductor chip 10 are reduced and connection reliability is improved. - 特許庁

例文

薄膜キャパシタの基板と実装基板との線膨張係数の違いによってバンプに働く鉛直方向の応力が導体に集中しない構造を有する薄膜キャパシタを提供するとともに、その製造方法を提供する例文帳に追加

To provide a thin film capacitor having such a constitution that even when a stress occurs in a bump in the vertical direction, the stress does not concentrate on a conductor, the stress occurring owing to the difference in the coefficient of linear expansion between a substrate of the thin film capacitor and a mounted substrate. - 特許庁

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