成長ステップの英語

ＡｌＧａＮの成長ステップにおいてＩｎをドープし、ＧａＮ成長ステップにおいてＩｎ及びＳｉをドープすることにより、発光強度を著しく増大させることができる。例文帳に追加

Indium is doped at the growth step of AlGaN while In and Si are doped at the growth step of GaN, to significantly raise the light-emission intensity. - 特許庁

さらに、各環境要素ごとに前記差に対応する成長ポイントを読み出し（ステップＳ６）、各ペットごとに今回の合計成長ポイントを算出する（ステップＳ７）。例文帳に追加

A growing point corresponding to the difference in each environmental element is read out (step S6) and current total growing points are calculated in each pet (step S7). - 特許庁

ステップ１０３とステップ１０４とステップ１０５とを順に複数回繰り返して露出したシリコン層１１にシリコンエピタキシャル膜１２を成長させる。例文帳に追加

By repeating the steps 103, 104, and 105 in order several times, a silicon epitaxial film 12 is grown on the exposed silicon layer 11. - 特許庁

本発明に係る化合物半導体微粒子の製造方法は、核形成反応ステップＳ２１、冷却ステップＳ２２、核成長反応ステップＳ２３を含む。例文帳に追加

The method for producing a compound semiconductor fine particles includes a nucleation reaction step S21, a cooling step S22 and a nuclear growth reaction step S23. - 特許庁

所定の第１温度において薄膜を成長させながらドーパントをドーピングする低温高ドープ層成長ステップと、薄膜の成長を中断し前記第１温度より高い所定の第２温度において薄膜をアニール処理するアニール処理ステップと、前記第２温度において薄膜を成長させる高温低ドープ層成長ステップとを含む。例文帳に追加

This method comprises: the low temperature high doped layer growing step of doping the dopant while growing a thin film at a specific first temperature; the annealing step of discontinuing the growth of the thin film to anneal the thin film at a predetermined second temperature higher than the first temperature; and the high temperature low doped layer growing step of growing the thin film at the second temperature. - 特許庁

本発明の方法は、好適な成長基板を提供して、この好適な成長基板のシーディング表面上に第１の好適でない成長層を形成するステップを含む。例文帳に追加

The inventive method comprises a step for providing a preferable growth substrate and forming a first unpreferable growth layer on the shading surface of the preferable growth substrate. - 特許庁

窒化物半導体本体の成長中にインシチュドーパント注入を可能にする方法は、ドーパント注入装置及び成長室を有する複合窒化物室中に、窒化物半導体本体に対する成長環境を確立するステップと、成長室内で窒化物半導体本体を成長させる成長ステップと、ドーパント注入装置を用いて成長室内で窒化物半導体本体にインシチュ状態でドーパント注入を行う注入ステップとを具える。例文帳に追加

A method enabling in situ dopant implantation during growth of a nitride semiconductor body has steps of: establishing a growth environment for the nitride semiconductor body in a composite nitride chamber having a dopant implanter and a growth chamber; growing the nitride semiconductor body in the growth chamber; and implanting the nitride semiconductor body in situ in the growth chamber using the dopant implanter. - 特許庁

また、プラズマ酸化（ステップＳ１８）の前に、ＡＢＳにフォトレジストを塗布し（ステップＳ１４）、それを除去する（ステップＳ１６）ようにすると、凸部の成長が促進される。例文帳に追加

If photoresist is applied on the ABS(air bearing surface) (step S14) before the plasma oxidation (step S18) and is removed (step S16), the growth of the protrusions is accelerated. - 特許庁