成長円錐の英語

基体２に底面を介して固定された半導体から成る円錐又は多角錐の構造体３の頂点３ａから成長した、先端に金属ナノドット４を有する半導体ナノ細線６を有する。例文帳に追加

The semiconductor nano thin line 6 has a metallic nano dot 4 on an end extending from an apex 3a of a conic or polygonal pyramid structure body 3 comprising a semiconductor body fixed on a base 2 through a bottom surface. - 特許庁

Nogo受容体-1のそのリガンドに対する結合を阻害し、ミエリン-媒介成長円錐崩壊および神経突起伸長阻害を減弱する分子を提供すること。例文帳に追加

To provide a molecule decreasing myelin-mediated growth cone collapse and myelin-mediated inhibition of neurite outgrowth and sprouting by inhibiting a binding of Nogo receptor-1 to a ligard. - 特許庁

Shootin1は軸索先端の成長円錐に強い濃縮が認められ、また、Shootin1を培養神経細胞に外来性に発現させると複数の軸索の形成が誘導された。例文帳に追加

The Shootin 1 was recognized to exist in the axon tip growth cone in a large concentration, and when the Shootin 1 was exogenously expressed in cultured nerve cells, the formation of a plurality of axons was induced. - 特許庁

カーボンナノチューブが円錐状物質として、密に成長・凝集させ、自己組織化された状態で得られものであるカーボンナノチューブのサイズが、直径５０ｎｍ以下（５０ｎｍを除く）であり、面密度が0.5~3.0×10^9本/mm^2の範囲にあり、かつ円錐状物質を形成していることを特徴とするカーボンナノチューブ集合体配列膜。例文帳に追加

The arrangement film of carbon nanotube aggregate features that carbon nanotubes are obtained by densely growing and aggregating as a conical substance in a self-assembled state and that carbon nanotubes have <50 nm diameter and 0.5 to 3.0×10^9 pieces per 1 mm^2 surface density and form conical substances. - 特許庁

炭化水素ガスをプラズマアシストCVD法により処理し、カーボンナノチューブを円錐状物質として、蜜に成長・凝集させ、自己組織化された状態で得られものであることを特徴とするカーボンナノチューブ集合体配列膜及びその製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the arrangement film of carbon nanotube aggregate, a hydrocarbon gas is treated by a plasma assist CVD method and carbon nanotubes are densely grown and aggregated into conical substances in a self-assembled state. - 特許庁

評価は、プレキシンＡ１の細胞外ドメインを有するタンパク質に対するセマフォリン６Ｃの細胞外ドメインを有するタンパク質の結合性、プレキシンＡ１発現細胞の成長円錐退縮活性、又はプレキシンＡ１発現細胞の収縮活性を比較することにより行う。例文帳に追加

The evaluation is carried out by comparing bondability, growth cone atrophy activity of expression cell of plexin A1 of shrinkage activity of expression cell of plexin A1 of the protein having the extracellular domain of semaphorin 6C to those of the protein of the extracellular domain of plaxin A1. - 特許庁

昇華再結晶法によりスカート部材に沿って成長させたＳｉＣ単結晶７０を蓋材２２ごと取り出し、シングルワイヤーソー、ワイヤ放電加工、超音波加工等により、種結晶４０からＳｉＣ単結晶７０を切り離し、円錐台形状のＳｉＣ単結晶７０を得る。例文帳に追加

By taking out a SiC single crystal 70 grown along a skirt member by a sublimation-recrystallization method together with a lid material 22 and cutting off the SiC single crystal 70 from a seed crystal 40 by a single wire saw, wire electric discharge machining, ultrasonic machining or the like, a frustoconical SiC single crystal 70 is prepared. - 特許庁

接地電極３０がこの第２仮想円錐面よりも内側へ張り出す部位（張出部３５）を有する場合、その体積を１．５ｍｍ^３未満とすれば、キャビティ６０から噴出されるプラズマの成長過程において接地電極３０と接触する体積が少なく、消炎作用を抑制し、着火性の低下を防ぐことができる。例文帳に追加

In the case that the ground electrode 30 has a part (a projecting 35) projecting toward the inside rather than the second imaginary conic surface, if the part has the volume of less than 1.5mm^3, it has a small volume contacting with the ground electrode 30 in the growth process of plasmas discharged from the cavity 30, so that quenching action is suppressed and deterioration of ignitability is prevented. - 特許庁