成長勾配の英語

温度勾配は、例えば、成長中の結晶中の温度勾配を決定する結晶の目標引き上げ速度または融液ギャップのような、完成した結晶中の形態安定性または固有の材料特性に影響を与える、関連するプロセスパラメータの制御に用いられる。例文帳に追加

The temperature gradients may be used to control relevant process parameters that affect morphological stability or intrinsic material properties in the finished crystal such as, for instance, the target pull speed of the crystal or the melt gap, which determines the temperature gradient in the crystal during growth. - 特許庁

チョクラルスキー法による高品質シリコン単結晶の製造方法において、単結晶成長の固液界面の下部を中心部と外周部に分け、前記中心部の温度勾配と外周部の温度勾配をそれぞれ個別に制御する。例文帳に追加

In the method for producing a high quality single crystal by a Czochralski method, a lower portion of a solid-liquid interface of single crystal growth is divided into a central part and a circumferential part, and the temperature gradient of the central part and the temperature gradient of the circumferential part are separately controlled. - 特許庁

非極性面又は半極性面を結晶成長面とする基板上に半導体層が形成された半導体発光素子であって、半導体層は、第１の側面と第２の側面とを有し、第２の側面の平均勾配は、第１の側面の平均勾配よりも大きい。例文帳に追加

In a semiconductor light-emitting element in which a semiconductor layer is formed on a substrate having a crystal growth surface of a non-polar plane or a semipolar plane, a semiconductor layer has a first side surface and a second side surface, and the average inclination of the second side surface is larger than that of the first side surface. - 特許庁

ＯＳＦ領域になるように、シリコン結晶中の窒素の濃度と成長条件Ｖ／Ｇ（Ｖ：成長速度、Ｇ：結晶の軸方向温度勾配）が制御される。例文帳に追加

Concentration of nitrogen in a silicon crystal and the growth condition V/G (V:growth rate and G: axial temperature gradient of the crystal) are controlled so as to have an OSF region. - 特許庁

チョクラルスキー法において、結晶成長フロント(結晶−融液界面)での温度勾配にもとづいた結晶成長プログラムの性能改善方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for improving performances of a crystal growth program based on the temperature gradient at the crystal growth front (crystal-melt interface) in the Czochralski process. - 特許庁

チョクラルスキー（Ｃｚ）法による単結晶引き上げにおいて、熱対流を抑制することにより、融液の結晶成長界面における温度勾配を緩くして、成長させる単結晶の熱歪みを抑制する。例文帳に追加

To suppress thermal strain in a single crystal to be grown by suppressing a thermal convection during pulling a single crystal by Czochralski (Cz) method, to loosen the temperature gradient on a crystal growth interface of the melt. - 特許庁

縦型ボート法の単結晶成長において，るつぼ内の結晶成長界面の正確な位置を把握し，るつぼに対する温度勾配領域の位置調整を行う。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor single crystal by which EPD (etch pit density) can be further reduced by grasping the exact position of the crystal growth interface in a crucible and controlling the position of a temperature gradient region relative to the crucible in single crystal growth by a vertical boat method, and to provide an apparatus therefor. - 特許庁

このことは、組成的に勾配したバッファ層の後に続く成長および緩和の前のスタート層としておよび／または組成的に勾配した層の成長および緩和中の少なくとも１つの中間層としてその表面にわたり実質的に均一に分布する複数のスレッディング転位を有する半導体層を導入することによって達成される。例文帳に追加

This is accomplished by introducing a semiconductor layer having a plurality of threading dislocations distributed substantially uniformly across its surface as a starting layer before following growth and relaxation of the compositionally graded layer and/or at least one intermediate layer during the growth and relaxation of the compositionally graded layer. - 特許庁