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成長条件の英語
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英訳・英語 growth condition
「成長条件」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 283件
知的成長に最適な条件例文帳に追加
conditions optimal for intellectual growth - Eゲイト英和辞典
発達を促す条件下で成長する例文帳に追加
grow under conditions that promote development発音を聞く - 日本語WordNet
本発明では、二枚貝の生息条件・成長条件・移動条件を新たに考慮した平面的な二枚貝生息分布の予測手法を考案した。例文帳に追加
A forecasting method of plane habitant distribution of bivalve is provided, considering the inhabitation condition/growth condition/migration condition of the bivalve. - 特許庁
トレンチ埋め込みエピタキシャル成長条件の最適化方法例文帳に追加
OPTIMIZATION METHOD FOR TRENCH EMBEDDED EPITAXIAL GROWTH CONDITION - 特許庁
これにより、異物の成長を抑えるアッシング条件が可能になる。例文帳に追加
Thus, an ashing condition suppressing the growth of the foreign matter becomes possible. - 特許庁
下記(1)(2)の条件を満たす成長用容器3を用いる。例文帳に追加
The growth vessel 3 satisfying following conditions (1) and (2) is used. - 特許庁
溶液結晶成長における結晶化条件をスクリーニングする方法例文帳に追加
SCREENING METHOD FOR CRYSTALLIZATION CONDITIONS IN GROWTH OF CRYSTAL IN SOLUTION - 特許庁
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「成長条件」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 283件
下記(1)(2)の条件を満たす単結晶成長用容器9を使用する。例文帳に追加
The vessel 9 for growing the single crystal, satisfying following conditions (1) and (2) is used. - 特許庁
このような条件で炭化珪素単結晶6を成長させる。例文帳に追加
The single crystal of silicon carbide is grown under such conditions. - 特許庁
井戸層25aの成長では、以下の範囲内である条件を用いる。例文帳に追加
A condition in a following range is used in the growth of the well layer 25a. - 特許庁
成長条件とを駆使し、基板上への成長膜厚を均一にする方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method which uniforms a film thickness growing on a substrate by using growth conditions. - 特許庁
結晶成長条件と結晶形態、結晶成長の有無の関係を明らかにし、実用的な結晶成長条件でのIII族窒化物の結晶成長を可能とする。例文帳に追加
To clarify the relation among crystal growth conditions, crystal form, and whether crystal growth occurs or not and thereby enable the crystal growth of a group III nitride under practical crystal growth conditions. - 特許庁
そこで、化合物半導体層3Bを成長させるときのAl組成比を決定する製造条件よりも、化合物半導体層3Aを成長させるときの製造条件の方が、この条件で化合物半導体層3Bを形成する場合には、Al組成比が高くなる条件に設定されている。例文帳に追加
A manufacturing condition for the growth of the compound semiconductor layer 3A is set as a condition for a higher Al composition ratio when the compound semiconductor layer 3B is formed under the condition as compared with a manufacturing condition for determining the Al composition ratio when the compound semiconductor layer 3B is grown. - 特許庁
この時以下の結晶成長条件下で50分間、非縦方向成長部4のファセット成長を継続する。例文帳に追加
Then, facet growth of the non-vertical growth part 4 is continued for 50 min, in the following crystal growth condition. - 特許庁
この結晶成長条件によれば、縦方向の成長速度が速くなり、表面が自然に凹凸形状に結晶成長する。例文帳に追加
Under these crystal growth conditions, a growth rate becomes higher in the vertical direction, resulting in crystals on the surface naturally growing into irregular shape. - 特許庁
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