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接面の深さの英語
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「接面の深さ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 482件
摺接面に深い凹（高い凸）を付与し、相手方（被摺接面）への真実接触部を小さくする。例文帳に追加
A deep recess (a high projection) is imparted to the sliding contact surface, to reduce a true contact part to a mating part (a sliding object surface). - 特許庁
切り込み４の深さは、基板２が切断され両面接着シート３に届くような深さであればよいが、両面接着シート３は薄いので、通常は、補強板１の一部まで切り込み４が達するような深さとする。例文帳に追加
The depth, which the substrate 2 is cut and reaches the double-sided adhesive sheet 3, may be sufficient as the depth of the notch 4, but since the double-sided adhesive sheet 3 is thin, usually the notch 4 is taken as a depth which reaches a part of the reinforcing plate 1. - 特許庁
ランプソケットの表面に接するその窪みの内面には段差部が深さ方向に延びている。例文帳に追加
A level difference part extends in depth direction on the inner face of the recess which is in contact with the surface of the lamp socket. - 特許庁
横溝１１の深さをタイヤの断面巾の呼び寸法の５〜７％でかつ前記一端から前記トレッド接地端Ｅまで同深さとする。例文帳に追加
A depth of the translot 11 is determined to be 5-7% of a nominal size of a sectional width of the tire, and equalized to a length from one end to the tread ground end. - 特許庁
チャネル層２６の最も深い接合深さａよりもトレンチ２９の深さ寸法ｂを浅く形成し、トレンチ２９は側面でチャネル層２６のｐｎ接合と接するように形成する。例文帳に追加
The trenches 29 are formed in a depth of (b), which is shallower than the deepest junction depth (a) of the channel layer 26, and the trenches 29 are formed so as to be in contact with a p-n junction of the channel layer 26. - 特許庁
深さ方向ガイド部１１の当接面１１ａは、化粧溝３０の幅の少なくとも２倍以上の長さを有し、幅方向ガイド部１２の当接部１２ａは、化粧溝３０の深さよりも深い位置に形成されている。例文帳に追加
The abutting surface 11a of the depth direction guide part 11 has a length which is at least twice as long as the width of a decorative groove 30, and the abutting part 12a of the width direction guide part 12 is formed at a position deeper than the depth of the decorative groove 30. - 特許庁
半導体装置において、UMOSＴｒｐのベース領域６は、ゲート電極４を埋設したトレンチ２底面よりも深く、かつ接合深さが均一な深さ方向接合面６１を備える。例文帳に追加
In a semiconductor device, the base region 6 of a UMOS Trp is made deeper than the bottom faces of trenches 2 containing embedded gate electrodes 4, and is provided with a depth-direction joint surface 61 having a uniform joint depth. - 特許庁
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「接面の深さ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 482件
カバー部に立枠表面に当接して溝深さを規制する溝深さ調節可能なストッパー６を設けた。例文帳に追加
The cover is provided with a stopper 6 cable of controlling the groove depth which regulates the groove depth in contact with the jamb surface. - 特許庁
マウントの接着面３ａに深さ５−１５０μｍの溝４Ａ、４Ｂが形成されている。例文帳に追加
Grooves 4A and 4B of 5 to 150 μm in depth are formed on the adhesion surface 3a of the mount 3. - 特許庁
このトランジスタは、深いトレンチに隣接する基板の平面内に延びるソース拡散を有する。例文帳に追加
This transistor has source diffusion extending in the plane of the substrate adjacent to the deep trench. - 特許庁
また、従来の電磁リレー用ソケットに替えて、電磁リレー用ソケット上面から少なくとも１個の接点側メス端子の端子接触位置までの深さが電磁リレー用ソケット上面からコイル側メス端子の端子接触位置までの深さより深いものとした。例文帳に追加
When a magnetic relay 10 is inserted into a magnetic-relay socket 20, the coil side terminal 15, the A-contact side terminal 17 and the B-contact side terminal 18 make electrical contact with a coil side female terminal 22, an A-contact side female terminal 24, and a B-contact side female terminal 25, respectively. - 特許庁
溶接部の断面プロフィールから、溶接部上の表面欠陥の大きさや深さを従来よりも簡便に精度よく検出する。例文帳に追加
To detect, more simply and accurately than conventionally, the size and depth of a surface flaw on a welded part from a cross-section profile of the welded part. - 特許庁
単結晶Ｓｉ基板１０の表面側（接合面側）には、表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に均一なイオン注入層１１が形成される。例文帳に追加
On the surface side (bonding face side) of a single crystal Si substrate 10, a uniformed ion implanted layer 11 is formed in a predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface. - 特許庁
ガードリング領域８は、エピ層２の表面から深さ方向に延伸して形成され、ガードリング領域９は、エピ層２の表面に接することなく、ガードリング領域８よりも底面の深さ位置が深くなるようにエピ層２内部に埋め込まれて形成される。例文帳に追加
The guard ring region 8 is formed, extending in a depth direction from a surface of the epitaxial layer 2, the guard ring region 9 is formed, without contacting the surface of the epitaxial layer 2, and being embedded in the epitaxial layer 2 so that the depth position of a bottom surface is larger than that of the guard ring region 8. - 特許庁
そして、この深針を磁性試料の表面に近接させ、前記深針と前記磁性試料の前記表面との間に生じたトンネル電流より、前記磁性試料の前記表面の状態を検出する。例文帳に追加
The probe is approached to a surface of a magnetic sample to detect a condition of the surface of the sample based on a tunnel current generated between the probe and the surface of the sample. - 特許庁
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