書きっぷりの英語

カップリング防止回路は、書き込みパルスが印加されるレギュラービット線の数と同じ数のダミービット線に、書き込みパルスの後エッジに同期してダミーパルスを印加する。例文帳に追加

The coupling prevention circuit applies the dummy pulses synchronizing with the back edges of the write pulses to the dummy bit lines which are in the same number as the regular bit lines applied with the write pulses. - 特許庁

書き込みトランジスタのオフ時のカップリングに起因する駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧の低下に伴う輝度低下を防止しつつ、入力信号電圧の書き込みを安定して行うことを可能にする。例文帳に追加

To stably write an input signal voltage while preventing a decrease in the luminance accompanying a decrease in a gate-source voltage in a drive transistor caused by coupling of a writing transistor in an off period. - 特許庁

このとき、選択されたバックアップ領域への書込みができなければ、直前に書き込まれたゲームデータへの上書きを禁止して、１世代前のゲームデータを残す。例文帳に追加

At this time, when writing to the selected backup area is impossible, overwrite to the game data written immediately before is inhibited to leave the game data one generation before. - 特許庁

ビット線間の容量カップリングが大きい場合でも、データの書き込み動作の高速が図れるメモリシステム及びそのデータ書き込み方法を提供する。例文帳に追加

To provide a memory system in which write operation speed of data can be increased even when capacity coupling between bit lines is large and a method for writing data. - 特許庁

一方、ＥＣＵ１００は、スリップ率ＳＬが基準値を超えたタイミングと、車両振動が開始されたタイミングとに基づいて、タイヤμを最大とし得るピークスリップ率ＳＬｐｋを推定するピークスリップ率ＳＬｐｋが推定されると、ＡＢＳ閾値がこのピークスリップ率ＳＬｐｋに基づいて書き換えられる。例文帳に追加

On the other hand, when estimating a peak slip ratio SLpk for estimating a peak slip ratio SLpk of a maximum tire μ based on timing when a slip ratio SL exceeds a reference value and timing when vehicle vibration is started, the ECU 100 rewrites an ABS threshold based on the peak slip ratio SLpk. - 特許庁

データライン８に供給される階調信号に対応するデータ電圧をカップリング容量６を介し、保持容量７に書き込むとともに、選択トランジスタ３および発光制御トランジスタ５をオフとした状態でリセットトランジスタ４をオンして駆動トランジスタ２の移動度に応じた補正電圧を前記カップリングコンデンサ６に書き込む。例文帳に追加

A data voltage corresponding to a gradation signal supplied to the data line 8 is written into a retention capacitance 7 via the coupling capacitance 6, at the same time, the reset transistor 4 is turned on while the selective transistor 3 and the light emission control transistor 5 are turned off and a correction voltage in accordance with mobility of the driving transistor 2 is written into the coupling capacitor. - 特許庁

浮遊ゲートと制御ゲートとのカップリング比を減少させることによって、拡散層と浮遊ゲートとのカップリング比を増加して低い拡散層電圧でも容易に高速な書き込みを行うことが可能な半導体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory which enables easy and rapid writing even at a low diffusion layer voltage by decreasing the coupling ratio of a floating gate and a control gate to increase the coupling ratio of a diffusion layer and the floating gate. - 特許庁

このため、読み出しワード線ｒｄｗｏｒｄ０がハイレベルになった時、書き込みワード線ｗｄｗｏｒｄ０には微小なカップリング電圧しか発生せず、メモリセルの書き込み用のトランスファーゲート１の閾値電圧以下なので、このトランスファーゲートがオンすることがなく、誤書き込みが生じない。例文帳に追加

As a result, when the read word line rdword 0 becomes to be at the high level, since only a minute coupling voltage is generated on the write word line wrword 0 and the voltage is equal to or smaller than the threshold voltage of a transfer gate 1 for writing memory cells, this transfer gate is never turned ON and the erroneous write is not generated. - 特許庁