格子化合物の英語

化合物半導体の製造方法、半導体レーザダイオード及びＡｌＧａＮ系超格子構造例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND AlGaN-BASED SUPERLATTICE STRUCTURE - 特許庁

またこの基板とは格子整合しない別の化合物半導体の良質な結晶を得ることができる。例文帳に追加

Further, the superior quality of crystal of another compound semiconductor not lattice-matched with the above substrate can be obtained. - 特許庁

超格子積層体ＳＬに含まれる結晶層１は相変化化合物からなる。例文帳に追加

The crystal layer 1 included in the superlattice laminate SL is made of a phase change compound. - 特許庁

空格子点に位置および濃度制御してドーパントを導入した化合物例文帳に追加

COMPOUND HAVING VACANT GRID POINT INTO WHICH DOPANT IS INTRODUCED WHILE CONTROLLING POSITION AND CONCENTRATION - 特許庁

Ｂ２規則格子金属間化合物ターゲットであって、高抗折力の金属間化合物ターゲットと磁気記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide an intermetallic compd. target of high deflective strength which is a B2 rule lattice intermetallic compd. and a magnetic recording medium. - 特許庁

Ｐｂ−Ｃａ系合金正極格子体の表面にＳｂ化合物を付着させ、このＳｂ化合物を表面に付着させた正極格子体に正極活物質を充填させる。例文帳に追加

A Sb compound is deposited on the surface of a Pb-Ca alloy positive electrode grid and the positive electrode grid on the surface of which the Sb compound is deposited is filled with a positive electrode active substance. - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族量子ドットを、この格子定数と低格子不整合率の格子定数であるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体上に形成する。例文帳に追加

To form group III-V quantum dots on a group III-V compound semiconductor having a lattice constant in a low lattice mismatching rate to the lattice constant of the group III-V quantum dots. - 特許庁

バッファ層１２は、シリコン基板１１の格子定数と、エピタキシャル層１３の格子定数との間の格子定数をもつ、第３族元素と第５族元素との化合物が選択されればよい。例文帳に追加

For a buffer layer 12, a compound of a group III element and a group V element which has a lattice constant between the lattice constant of a silicon substrate 11 and the lattice constant of the epitaxial layer 13 is permissible selected. - 特許庁