極小感度の英語

青色及び紫外線領域において高感度で暗電流が極小である新規な光検出器を得る。例文帳に追加

To provide a new photodetector having high sensitivity and extremely small dark current at blue and ultraviolet regions. - 特許庁

各単一指向性マイクの背面（感度が極小となる方向）は、音響的に開放されるようになっている。例文帳に追加

The rear surface of each unidirectional microphone (direction in which the sensitivity is minimized) is acoustically opened. - 特許庁

視感度反射率が１．０％以下であり、接着層は波長４００〜８００ｎｍの範囲における光線反射率の極小値が５００〜７００ｎｍの範囲にあり、かつその値が１０％以下である。例文帳に追加

In the reduced reflection layer, a visible reflectance is 1.0% or less and, in the adhesive layer, the minimum of light ray reflectance in the wavelength range of 400 to 800 nm appears in the range of 500 to 700 nm and the minimum value of the light ray reflectance amounts to 10% or less. - 特許庁

高周波の弱電波から回路内すべての電源電圧を賄うことにより、更なる極小化と更なる高感度化を実現した整流回路およびそれを用いた無線通信装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a rectifier circuit, along with wireless communication equipment using it, of which all power supply voltages in the circuit are taken from weak radiowaves of high frequency, in order to achieve further micronization and higher sensitivity. - 特許庁

従来のように壁面を単に黒色とした可視化空間よりもはるかに反射光や散乱光を低減し、可視化感度の向上により従来不可能であった極小微粒子の可視化を可能とする。例文帳に追加

To visualize fine particles that could not be visualized before by reducing reflected lights and scattered lights significantly comparing with those in a conventional visualization space in which wall surfaces are black and improving visual sensitivity. - 特許庁

ＳＯＩ層を用いた完全空乏化ＭＩＳＦＥＴトランジスタを形成してなる半導体装置において、ＭＩＦＳＥＴのチャネル不純物濃度に依存して、バックゲート電圧を変化させることによって、不純物濃度が変動しても、ＳＯＩ膜厚バラツキに対するしきい値感度をほぼ極小に保ったままで、しきい値を規定する値にできるようにする半導体装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that is constituted by forming a completely depleted MISFET transistor using an SOI layer and can set a threshold to a specified value while the sensitivity threshold to the fluctuation of the film thickness of the SOI layer is roughly maintained at the minimum value even when the impurity concentration in the channel region of a MISFET fluctuates by changing the back gate voltage depending on the impurity concentration. - 特許庁