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極浅接合の英語
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英訳・英語 ultra‐shallow junction
「極浅接合」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 28件
アニール方法、極浅接合層形成方法および極浅接合層形成装置例文帳に追加
ANNEALING METHOD AND METHOD AND DEVICE FOR FORMING ULTRA-SHALLOW JUNCTION LAYER - 特許庁
半導体基板の極浅pn接合の形成方法例文帳に追加
METHOD OF FORMING EXTREMELY SHALLOW PN JUNCTION IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁
半導体基板の極浅pn接合の形成方法例文帳に追加
FORMATION METHOD FOR VERY SHALLOW P-N JUNCTION OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁
その後、アニール処理を行って、前記極浅不純物拡散領域を活性化して極浅接合を形成する。例文帳に追加
Thereafter, by performing annealing treatment, the extremely shallow impurity diffusion region is activated to form extremely shallow junction. - 特許庁
極浅接合(USJ)構造の電気活性ドーパント密度プロファイルを判定する方法例文帳に追加
METHOD FOR DETERMINING ELECTRICALLY ACTIVE DOPANT DENSITY PROFILE IN ULTRA-SHALLOW JUNCTION (USJ) STRUCTURE - 特許庁
2次欠陥部と、空乏層との接触によるリーク電流を抑えつつ、極浅接合を実現する。例文帳に追加
To realize very shallow junction while restraining a leakage current by contact of a secondary defective portion with a depletion layer. - 特許庁
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「極浅接合」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 28件
極浅接合の深さが精密制御された半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device in which the depth of extremely shallow junction is controlled precisely, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁
極浅接合の形成に際し、多数のレーザ光源を用いることなく、イオンが打ち込まれた部分の結晶性を回復し且つ接合深さを浅くするのに必要十分なアニール時間を得る。例文帳に追加
To obtain the annealing time sufficient for recovering crystallinity of a part where ions are implanted and reducing the junction depth, without having to use many laser light sources, when forming a very shallow junction. - 特許庁
ドーパントの過渡的増速拡散を、実質的に排除した、極浅い接合を有するCMOSデバイスを作製する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a CMOS device that substantially eliminates increased transient speed diffusion in a dopant, and has an extremely shallow junction. - 特許庁
接合深さに起因する特性のバラツキを抑制可能な、極浅不純物拡散領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of restricting variations of characteristics caused by a junction depth and having an extremely shallow impurity diffusion region. - 特許庁
MOSFETにショットキー接合を内蔵させるときに、ショットキー接合はMOSFETのpボディ領域6とゲート電極10と隔てられた場所に配置し、ショットキー接合の端部をp型の浅い接合によって囲まれるようにする。例文帳に追加
When incorporating a Schottky junction into a MOSFET, the Schottky junction is positioned at a place distant from a p-body region 6 and a gate electrode 10 of the MOSFET so that the ends of the Schottky junction are surrounded by p-type shallow junctions. - 特許庁
ゲート電極の空乏化や、ゲート絶縁膜の信頼性低下を招くことなく、極浅い接合を有する不純物拡散層を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffusion layer having an ultra-shallow junction without causing the depletion of a gate electrode and deterioration in the reliability of a gate insulating film. - 特許庁
極性によって最適な結晶面にそれぞれのチャネル面を形成し、浅いソース・ドレイン接合位置を保ちつつソース・ドレイン電極上部がシリサイド化されたMOS型半導体装置において、接合リークを低く抑えて素子動作の高速化をはかる。例文帳に追加
To achieve speed-up of element performance by reducing junction leak in a MOS semiconductor device whose upper portion of a source-drain electrode is formed into silicide, while forming each channel surface in the optimal crystal face according to the polarity and maintaining a shallow source-drain junction position. - 特許庁
パルス波形を最適化したレーザパルスを半導体基板表面に照射することにより、結晶欠陥のなく電気的に活性な層である低抵抗の極浅接合を得る。例文帳に追加
To provide ultra shallow junction having a low resistance, which is an electrically active layer, without crystal defects by having a semiconductor substrate surface irradiated with a laser pulse obtained by optimizing the pulse waveform. - 特許庁
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ultra‐shallow junction
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