極薄金属膜の英語

そして、上記透明陽極電極２および透明陰極電極４が金属薄膜と金属酸化物薄膜とからなる。例文帳に追加

The positive electrode 2 and the negative electrode 4 each comprise a thin metal film and a thin metal oxide film. - 特許庁

前記プラズモン共鳴金属薄膜が透光性を有する金属薄膜又は金属メッシュと該金属薄膜又は金属メッシュ上に金属ナノクラスタを金属錯体とともに量子ドットとして析出させてなる錯体結晶とからなり、前記透明導電性電極を兼用することができる。例文帳に追加

The Plasmon resonance metal thin-film comprises a metal thin-film or a metal mesh having light transmissivity and complex crystal obtained by depositing the metal nano-clusters together with metal complex as quantum dots on the metal thin-film or the metal mesh, thereby serving also as a transparent conductive electrode. - 特許庁

さらに、金属薄膜に無数の開口を設けるか極薄い金属薄膜にすることで、透過型電極としても使用できる。例文帳に追加

Furthermore, the metallic thin film is used as a transmissive electrode by arranging countless thousands of openings thereon or by making it into an extremely thin metal film. - 特許庁

下地金属薄膜１３と電気的に接続された導電性薄膜９と反射電極である第３の金属薄膜１０、１１とを備えている。例文帳に追加

A conductive thin film 9 electrically connected to the base layer metal thin film 13 and a third metal thin films 10 and 11 to be reflection electrodes are provided. - 特許庁

電極である金属薄膜４が圧電セラミックス膜３の上面に取り付けられ、金属線メッシュ５が、金属薄膜４を覆って金属薄膜４の上面に取り付けられる。例文帳に追加

A metal thin film 4 as an electrode is fitted onto an upper surface of the piezoelectric ceramic film 3, and metal wire meshes 5 are fitted onto an upper surface of the metal thin film 4 to cover the metal thin film 4. - 特許庁

抵抗金属薄膜２０は、電極金属１２の一部とのみ接触して、この電極金属間に有意抵抗値を提供する。例文帳に追加

The resistor metal thin film 20 is in contact only with part of the electrode metals 12 to provide a significant resistance value between the electrode metals. - 特許庁

極めて薄い金属酸化物薄膜を、厚み精度良く、且つ確実に形成し得る金属酸化物薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a metal oxide thin film that can form a very thin metal oxide thin film with good thickness accuracy with reliability. - 特許庁

卑金属薄膜４、誘電体薄膜５および上部電極６の側面は卑金属薄膜４と同じ金属原子を含む卑金属酸化物７で覆われている。例文帳に追加

Side surfaces of the base metal thin film 4, dielectric thin film 5, and upper electrode 6 are covered with base metal oxide 7 containing the same metal atom with the base metal thin film 4. - 特許庁