正孔移動度の英語

電子及び正孔の移動度を向上させることができるＣＭＯＳ素子の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF CMOS ELEMENT FOR IMPROVING MOBILITY OF ELECTRON AND HOLE - 特許庁

第２種内部応力膜８ｂにより、ｐＭＩＳＦＥＴのチャネル領域において正孔の移動方向に圧縮応力が生じ、正孔の移動度が高められる。例文帳に追加

Compressive stress is generated in the movement direction of a hole in a channel region of the pMISFET by a second class inner stress film 8b and the mobility of the hole is improved. - 特許庁

輸送材料５ｈは、正孔あるいは電子の移動度が１０^−４ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上である。例文帳に追加

For the transportation material 5h, mobility of positive holes or electrons is above 10^-4cm^2/V×s. - 特許庁

正孔輸送層の正孔移動度と電子輸送層の電子移動度との差を縮めることにより、正孔過剰または電子過剰を抑制し、正孔と電子との注入バランスを略等しくすることにより、発光効率を向上させることを可能とした有機ＥＬ表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide an organic EL display device in which positive hole excess or electron excess is suppressed by reducing a difference between the positive hole mobility of a positive hole transportation layer and the electron mobility of an electron transportation layer, and in which light emitting efficiency can be improved by nearly equalizing injection balance between a positive hole and an electron. - 特許庁

ＳｉＧｅ層もＳｉ層に比べて正孔の移動度が大きく、このＰＭＯＳトランジスタの動作速度も大きくなる。例文帳に追加

The mobility of the positive hole is high in the SiGe layer compared to the Si layer as well, and the operation speed of the PMOS transistor is also accelerated. - 特許庁

これにより、ＭＯＳＦＥＴ２、３のキャリアである電子、正孔のいずれについても移動度が高められ、動作速度が速くなる。例文帳に追加

Accordingly, the mobility is improved regarding either of electrons and holes as the carriers of the MOSFETs 2 and 3, and a working speed is increased. - 特許庁

これにより、電子と正孔の移動度の均衡が得られてＣＭＯＳ素子の性能を向上することができる。例文帳に追加

Accordingly, a performance of the CMOS element is improved and balance between mobility of electrons and positive holes is obtained. - 特許庁

電子および正孔の移動度と寿命が小さな半導体放射線検出素子を用いて、正確に放射線のエネルギーを測定する。例文帳に追加

To measure radiation energy accurately by using a semiconductor radiation detection element having small mobility and life in electrons and holes. - 特許庁