正孔移動度の英語

電子及び正孔の移動度を向上させることができるＣＭＯＳ素子の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF CMOS ELEMENT FOR IMPROVING MOBILITY OF ELECTRON AND HOLE - 特許庁

一対の電極３，８間に少なくとも正孔輸送層５と発光層６と電子輸送層７とが積層された有機電界発光素子において、正孔輸送層５の正孔移動度及び電子輸送層７の電子移動度よりも低い正孔移動度及び電子移動度持つ材料で発光層６が形成される。例文帳に追加

In the organic electroluminescent element which has a laminated of at least a hole transfer layer 5, a light emitting layer 6, and an electron transfer layer 7 across a pair of electrodes 3, 8, the layer 6 is formed of a material of both hole mobility and electron mobility each lower than the former of the layer 5 and the latter of the layer 7. - 特許庁

正孔輸送層の正孔移動度と電子輸送層の電子移動度との差を縮めることにより、正孔過剰または電子過剰を抑制し、正孔と電子との注入バランスを略等しくすることにより、発光効率を向上させることを可能とした有機ＥＬ表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide an organic EL display device in which positive hole excess or electron excess is suppressed by reducing a difference between the positive hole mobility of a positive hole transportation layer and the electron mobility of an electron transportation layer, and in which light emitting efficiency can be improved by nearly equalizing injection balance between a positive hole and an electron. - 特許庁

本発明の目的は、従来から用いられている正孔輸送分子で現在達成されている正孔移動度より速い移動度を持つ感光体が得られるような新たな分子の発見と、同物質の合成方法を提供することである。例文帳に追加

To discover such novel molecules as to give photoreceptors having a hole mobility higher than that achieved now by conventional hole transport molecules, and to provide processes for synthesizing the same. - 特許庁

第２種内部応力膜８ｂにより、ｐＭＩＳＦＥＴのチャネル領域において正孔の移動方向に圧縮応力が生じ、正孔の移動度が高められる。例文帳に追加

Compressive stress is generated in the movement direction of a hole in a channel region of the pMISFET by a second class inner stress film 8b and the mobility of the hole is improved. - 特許庁

電子および正孔の移動度と寿命が小さな半導体放射線検出素子を用いて、正確に放射線のエネルギーを測定する。例文帳に追加

To measure radiation energy accurately by using a semiconductor radiation detection element having small mobility and life in electrons and holes. - 特許庁

ｐMOSFETにおける正孔移動度を歪Si-MOSFETよりも大きくし、CMOS論理回路の設計を容易にし、かつ動作速度を向上させる。例文帳に追加

To make the hole mobility in a pMOSFET larger than that in a strained Si-MOSFET, to simplify the design of a CMOS logic circuit, and to improve the operating speed of the CMOS logic circuit. - 特許庁

ＳｉＧｅ層もＳｉ層に比べて正孔の移動度が大きく、このＰＭＯＳトランジスタの動作速度も大きくなる。例文帳に追加

The mobility of the positive hole is high in the SiGe layer compared to the Si layer as well, and the operation speed of the PMOS transistor is also accelerated. - 特許庁