歪層の英語

歪み緩和膜の製造方法、および、歪み緩和膜を有する積層体例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF STRAIN MITIGATING FILM, AND LAMINATE HAVING STRAIN MITIGATING FILM - 特許庁

基板上の歪み層の歪みを調節するプロセスを提供する。例文帳に追加

To provide a process for adjusting the strain of a strained layer on a substrate. - 特許庁

歪み緩和バッファー層の製造方法及び歪み緩和バッファー層を備えた積層体例文帳に追加

METHOD OF PRODUCING STRAIN RELAXING BUFFER LAYER, AND LAMINATED PRODUCT WITH STRAIN RELAXING BUFFER LAYER - 特許庁

歪層５下の解放層２が選択的に除去される。例文帳に追加

The release layer 2 under the strain layer 5 is selectively removed. - 特許庁

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板とその形成方法とを提供する。例文帳に追加

To provide a substrate and its forming method wherein, in a strain layer/stain-applied crystal layer structure, the crystallinity deterioration of the strain layer due to crystal defects caused in the starin-applied crystal layer structure is reduced and the strain layer/strain-applied crystal layer structure is formed with a thin film on an insulation layer. - 特許庁

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing substrate, having a strain layer/strain-applied crystal layer structure which reduces the crystallinity deterioration that occurs in the strain layer, due to crystal defects caused by the strain-applied crystal layer structure, and which is formed of a thin film on an insulating layer. - 特許庁

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate and its forming method wherein, in a strain layer/stain-applied crystal layer structure, the crystallinity deterioration of the strain layer due to crystal defects caused in the strain-applied crystal layer structure is reduced, and the strain layer/strain-applied crystal layer structure is formed with a thin film on an insulation layer. - 特許庁

埋め込み層２は、歪抑制層Ｉ２よりも格子定数が大きいため、歪抑制層Ｉ２から「圧縮歪」を受ける。例文帳に追加

A buried layer 2 has a larger lattice constant than the strain suppression layer I2, so it undergoes "compressive strain" from the strain suppression layer I2. - 特許庁