気相エピタキシャル成長装置の英語

均熱板、気相エピタキシャル成長装置例文帳に追加

SOAKING PLATE AND VAPOR-PHASE EPITAXIAL GROWTH DEVICE - 特許庁

気相エピタキシャル成長方法及びその装置例文帳に追加

VAPOR-PHASE EPITAXIAL GROWING METHOD AND DEVICE THEREOF - 特許庁

気相エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル層の製造方法例文帳に追加

VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH SYSTEM AND MANUFACTURE OF EPITAXIAL LAYER - 特許庁

気相エピタキシャル成長装置および半導体ウェーハの製造方法例文帳に追加

VAPOR-PHASE EPITAXIAL GROWTH DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体気相エピタキシャル成長方法及び成長装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

気相エピタキシャル成長方法及びその装置並びにそれに用いられる均熱板例文帳に追加

VAPOR EPITAXIAL GROWTH METHOD, DEVICE THEREFOR AND SOAKING PLATE USED THEREFOR - 特許庁

気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。例文帳に追加

In the vapor phase growth method for epitaxially growing a group III-V compound semiconductor layer on a substrate in a vapor phase growth device by the hydride vapor phase growth method, gas etching is performed in the vapor phase growth device by interrupting the epitaxial growth at least once in the way of epitaxial growth of the group III-V compound semiconductor layer. - 特許庁

気相エピタキシャル成長法、半導体基板の製造方法、半導体基板及びハイドライド気相エピタキシー装置例文帳に追加

GAS-PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND MANUFACTURE THEREOF AND HYDRIDE GAS- PHASE EPITAXY DEVICE - 特許庁