水素加圧処理の英語

水素ガス及び酸素ガスの減圧・加圧溶解方式のコロイド溶液による自動酸化・還元処理システム例文帳に追加

AUTOMATIC OXIDATION REDUCTION SYSTEM BY COLLOID SOLUTION OF HYDROGEN GAS AND OXYGEN GAS DISSOLVED UNDER VACUUM AND PRESSURE - 特許庁

処理容器内に被処理体を載置し、この処理容器内にＴＥＯＳガスと酸素ガスと水素ガスとを導入し、前記処理容器内を減圧雰囲気下でＴＥＯＳガスの分解温度よりも低い温度で加熱することにより、前記被処理体の上にシリコン酸化膜を形成する。例文帳に追加

A workpiece is placed in a treatment container; TEOS gas, oxygen gas, and hydrogen gas are introduced into the treatment container; and the inside of the treatment container is heated at temperature that is lower than the decomposition temperature of the TEOS gas under a decompressed atmosphere, thus forming a silicon oxide film on the workpiece. - 特許庁

被処理体Ｗが、有機膜と、この有機膜上に形成されたフォトレジスト層とを備え、処理ガスとして水素を含む処理ガスを用い、第１電極５に直流負電圧を印加しながら、フォトレジスト層をマスクに用いて、有機膜を、水素を含むプラズマによりエッチングする。例文帳に追加

The target object W to be processed has an organic film and a photoresist layer formed on the organic film, and the organic film is etched with plasma containing hydrogen using a processing gas containing hydrogen as a processing gas and also using the photoresist layer as a mask while applying a DC negative voltage to a first electrode 5. - 特許庁

原油を常圧蒸留して軽質油と常圧残渣油とに分離し、前記軽質油を触媒の存在下で加圧された水素と接触させて第１の水素化処理工程を行う。例文帳に追加

Crude oil is subjected to atmospheric distillation so as for light oil to be separated from atmospheric residue and the light oil is subjected to the first hydrogenation processing by being brought into contact with pressurized hydrogen in the presence of a catalyst. - 特許庁

芳香族炭化水素を含有する炭化水素を、タングステンジルコニア、硫酸根ジルコニア又は高表面積シリカに担持されたタングステンジルコニアから選ばれる固体酸に担持されたVIII族金属触媒の存在下に、水素と加圧下に処理することにより芳香族炭化水素を水素化し脂環式炭化水素とし、同時に異性化して脂環式炭化水素を製造する炭化水素の水素化異性化処理方法及びその触媒。例文帳に追加

According to this method for hydroisomerization treatment of a hydrocarbon, an arom. hydrocarbon is hydrogenated and isomerized at the same time to form an alicyclic hydrocarbon by treating a hydrocarbon contg. an arom. hydrocarbon with hydrogen under pressure and in the presence of an VIII group metallic catalyst carried on a solid acid selected from the group consisting of a tungsten zirconia, a sulfate-contg. zirconia or a tungsten zirconia carried on a high surface area silica. - 特許庁

加熱バ−ナーの主燃料あるいは補助燃料として酸水素ガスを使用して廃棄物を溶融或いは焼却するに際して、該廃棄物原料を予め加圧成型して加熱処理することを特徴とする廃棄物の処理方法。例文帳に追加

In the waste treatment method, a waste raw material is preliminarily molded under pressure to be heat-treated when waste is melted or incinerated using the oxygen/hydrogen fuel as the main or auxiliary fuel of a heating burner. - 特許庁

又は、表面が研磨された高配向性ダイヤモンド膜に対して、負のバイアス電圧を印加せずに、水素ガス中若しくは水素ガスで希釈された炭素原子を含むガス中でマイクロ波プラズマ処理した後、負のバイアス電圧を印加しながら、水素ガスで希釈された炭素原子を含むガス中でマイクロ波プラズマ処理し、更に、負のバイアス電圧を印加せずに、水素ガス中若しくは水素ガスで希釈された炭素原子を含むガス中でマイクロ波プラズマ処理する。例文帳に追加

Alternatively, the method comprises treating the above untreated diamond film with microwave plasma in a hydrogen gas or the gas containing carbon atoms diluted by hydrogen gas without applying the negative bias voltage, treating the resultant film with microwave plasma in the gas containing carbon atoms diluted by hydrogen gas while applying the negative bias voltage, and further treating with microwave plasma in the above hydrogen or carbon atoms-containing gas without applying the negative bias voltage. - 特許庁

シリコン基板を機械研削した後の加工済み基板４を対象として、機械研削後の裏面１ｂに生成したストレス層を除去するために行われるストレスリリーフにおいて、加工済み基板４を原子状水素処理装置５の減圧された処理室７内に収容し、原子状水素発生装置２０によって水素ガスから発生された原子状水素を処理対象面である裏面１ｂに接触させ、この処理対象面の表面層を原子状水素の作用によってガス化して除去する。例文帳に追加

The stress relief for removing a stress layer generated on a back 1b after machine grinding is performed to a machined substrate 4 after the machine grinding is performed to the silicon substrate. - 特許庁