活性珪素の英語

アルキル—またはアリル—ハロゲンシランの調製のための活性珪素粉末及びその製造方法例文帳に追加

ACTIVATED SILICON POWDER FOR PREPARING ALKYL-OR ARYL- HALOSILANE AND ITS PRODUCTION - 特許庁

炭化珪素半導体装置のイオン注入領域において更なる高活性率化を図る。例文帳に追加

To achieve a higher activation rate in an ion-implanted region of a silicon carbide semiconductor device. - 特許庁

炭化珪素内にイオン注入によって注入された不純物の活性化率を向上させる。例文帳に追加

To improve the activation factor of an impurity implanted into silicon carbide through ion implantation. - 特許庁

硬化型珪素系樹脂組成物及びそれを使用した光触媒活性を有するフィルム例文帳に追加

CURING TYPE SILICON-BASED COMPOSITION AND FILM HAVING PHOTOCATALYTIC ACTIVITY USING THE COMPOSITION - 特許庁

炭化珪素半導体に注入された不純物の活性化率を向上させる。例文帳に追加

To enhance activation rate of an impurity implanted into a silicon carbide semiconductor. - 特許庁

加熱炉１に、一酸化珪素粉末１５を入れた坩堝２を配置し、不活性ガス１６を流しながら、一酸化珪素粉末１５を所定の温度において所定時間加熱することによって、結晶性珪素マイクロチューブを製造する。例文帳に追加

The crystalline silicon microtube is manufactured by disposing a crucible 2 containing silicon monoxide powder 15 in a heating furnace 1, and heating the silicon monoxide powder 15 at a prescribed temperature for a prescribed time while flowing an inert gas 16. - 特許庁

主鎖が珪素原子のみからなる有機珪素高分子化合物、及び／または、主鎖が珪素原子と炭素原子のみからなる有機珪素高分子化合物と、固体炭素を含有する多孔質体等の成形体を、窒素ガス以外の不活性ガス雰囲気中、或いは、窒素ガス雰囲気中で加熱処理することを特徴とする炭素珪素ウイスカー或いは窒素珪素ウイスカーの製造方法。例文帳に追加

A formed body such as a porous body containing an organosilicon polymer compound whose main chain is made of only a silicon atom and/or an organosilicon polymer compound whose main chain is made of only a silicon atom and a carbon atom and a solid carbon is subjected to heat-treatment in an inert gas atmosphere except gaseous nitrogen or a gaseous nitrogen atmosphere. - 特許庁

島状の非単結晶珪素よりなる活性層と、該活性層上にＣＶＤ法もしくはＰＶＤ法によって形成された酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として有し、前記酸化珪素と活性層との界面には前記酸化珪素膜中に含有される平均的な窒素濃度の１０倍以上の濃度の窒素を含有していることを特徴とする半導体装置である。例文帳に追加

The semiconductor device has an island-like non-single crystal silicon-made active layer and a silicon oxide film formed by CVD or PVD on the active layer as a gate insulation film, and contains nitrogen in the interface between the silicon oxide and the active layer at a concentration more than ten times as much as a mean concentration of nitrogen contained in the silicon oxide film. - 特許庁