浅己の英語

自己整合等方的エッチングを用いた浅いトレンチ分離体の平坦化例文帳に追加

FLATTENING OF SHALLOW TRENCH ISOLATION BODY USING SELF- ALIGNMENT ISOTROPIC ETCHING - 特許庁

女子では，浅田真(ま)央(お)選手がこれまでの自己最高の合計207.59点で４度目の優勝を果たした。例文帳に追加

In the women's event, Asada Mao won the title for the fourth time with her highest total score to date: 207.59 points. - 浜島書店 Catch a Wave

糖尿病患者の自己血糖採血時における手指の皮膚穿刺の深度を従来より浅く、０．２〜０．４ｍｍとした。例文帳に追加

The depth of the skin puncture at the fingers in the self-blood collection of the blood sugar of a diabetes patient is made shallower than a conventional one, i.e., 0.2 to 0.4 mm. - 特許庁

自己整列した浅い注入領域及び深い注入領域を形成し、浅い注入領域の低い拡散率を有するｎ型ドーパントを比較的固定すると共に、深い注入領域の高い拡散率を有するｐ型ドーパントを十分に拡散させ、良く制御されたチャネルを形成するｐベース領域をｎ型ソースの周りに形成して横型炭化シリコンパワーデバイスを製造する。例文帳に追加

To manufacture a horizontal silicon carbide power device by forming self-aligned shallow implantation region and deep implantation region, comparatively fixing an n-type dopant having a low diffusivity of the shallow implantation region, sufficiently diffusing a p-type dopant having a high diffusivity of the deep implantation region, and forming a p base region forming a well controlled channel around an n-type source. - 特許庁

素子分離領域１０２、１０３上には多結晶半導体膜のソース・ドレイン領域１１４，１１５が、浅いウェル領域１０６，１０７上には単結晶半導体膜のチャネル領域１０８，１０８’が、素子分離領域に対して自己整合的に形成されている。例文帳に追加

Source and drain areas 114 and 115 of a multi-crystal semiconductor film are formed on element separating areas 102 and 103, and channel areas 108 and 108' of a single crystal semiconductor film are formed on shallow well areas 106 and 107 like self-alignment with respect to the element separating areas. - 特許庁

第１の低濃度ドレイン領域２上にダミーゲート５を設けるとともに、ダミーゲート５と隣接する主ゲート４との間に第１の低濃度ドレイン領域２より浅く且つ、主ゲート４及びダミーゲート５と自己整合する第２の低濃度ドレイン領域８を設ける。例文帳に追加

The dummy gate 5 is located on a first drain area 2 of low concentration; and a second drain area 8 of low concentration which is thinner than the first drain area 2 of low concentration, and self-matches with a main gate 4, at the place between the dummy gate 5 and an adjacent main gate 4. - 特許庁