減磨剤の英語

ダイヤモンド粒子を研磨剤とした、仕上げ研磨前の粗研磨用としての研磨シ—トにおいて、光コネクタ端面の傷つきを防止でき、また研磨時間の短縮化をはかれ、さらにコストの低減もはかれる上記研磨シ—トを提供する。例文帳に追加

To provide a polishing sheet comprising diamond particles as abrasive agent for rough polishing prior to finish polishing capable of preventing damage on an end surface of a photoconnector, shortening polishing time, and reducing cost. - 特許庁

Ｍｎ酸化物を砥粒とする研磨剤において、研磨剤の廃棄物量を低減するとともに、金属層に選択的に作用し、酸化膜で研磨が停止する選択性の高い研磨剤およびかかる研磨剤を使った研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide an abrasive containing Mn oxide as abrasive grain in which the amount of waste of the abrasive is reduced and which has high selectivity in selectively acting on a metal layer and stopping polishing at an oxide film, and to provide a polishing method with the abrasive. - 特許庁

適切な研磨速度を維持しつつ、スクラッチの発生を低減し、半導体表面を精密に研磨可能な、酸化セリウム研磨剤及びこの研磨剤を用いた基板の研磨法を提供する。例文帳に追加

To provide a cerium oxide abrasive capable of reducing generation of scratch while maintaining a suitable polishing speed and precisely polishing a surface of a semiconductor, and a polishing method for a substrate using the abrasive. - 特許庁

研磨後の洗浄における粒子除去性能を向上させ、研磨傷を低減することのできる研磨剤及びこの研磨剤を使用した基板の研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing agent capable of improving particle removal performance in cleaning after polishing and reducing polishing scratches, and a method for polishing a substrate using the polishing agent. - 特許庁

適切な研磨速度を維持しつつ、スクラッチの発生を低減し、半導体表面を精密に研磨可能な、酸化セリウム研磨剤及びこの研磨剤を用いた基板の研磨法を提供する。例文帳に追加

To provide a cerium oxide abrasive and a polishing method of a substrate using the same, keeping an appropriate polishing speed, reducing the occurrence of a scratch, and precisely polishing the surface of a semiconductor. - 特許庁

研磨装置の研磨液に界面活性剤を添加すると、界面活性剤の減摩作用により、研磨装置の研磨布の機械作用を減少させることができる。例文帳に追加

When a surface active agent is added to a polishing solution used by a polishing device, the mechanical action of the polishing cloth of the polishing device can be reduced by the lubricating action of the agent. - 特許庁

研磨速度の面内バラツキを低減し、研磨傷を発生させずに高速研磨して、高平坦化された基板を得ることが可能な、ＣＭＰ研磨剤及び基板の研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide CMP abrasives capable of obtaining a highly planarized substrate by rapidly polishing, without generating polishing damages by reducing unevenness in a surface of a polishing speed, and to provide a method for polishing the substrate. - 特許庁

高速でウエハ２を回転させると、測定光路中に介在する研磨剤４の厚さが薄くなるとともに、研磨剤４表面の波立ちが少なくなり、研磨剤４の影響が低減される。例文帳に追加

When the wafer 2 is rotated at a high speed, the thickness of an abrasive 4 that is included in a measurement light path becomes thin and at the same time the corrugation on the surface of the abrasive 4 becomes small, and the influence of the abrasive 4 is reduced. - 特許庁