炭化ハフニウムの英語

このように、本発明によれば、電荷質量比の大きい、活性の高いイオン化されたハフニウム粒子のみが基板に到達するので、基板を加熱しなくてもハフニウム粒子と有機ガスとが反応し、炭化ハフニウムの薄膜が形成される。例文帳に追加

In this way, only ionized hafnium particles having a high charge mass ratio and high activity reach the substrate, so that the hafnium particles and an organic gas are reacted even without heating the substrate, and a thin film of hafnium carbide is deposited. - 特許庁

III族窒化物半導体層の製造方法は、下地基板１０上に、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物層１１を形成する工程と、炭化物層１１の上部にIII族窒化物半導体層１２を成長させる工程と、III族窒化物半導体層１２中で亀裂を生じさせて、前記下地基板１０を除去し、III族窒化物半導体層を得る工程とを含む例文帳に追加

The production method of the group III nitride semiconductor layer includes steps of: forming a carbide layer 11 selected from titanium carbide, zirconium carbide, hafnium carbide, vanadium carbide and tantalum carbide on a base substrate 10; growing a group III nitride semiconductor layer 12 above the carbide layer 11; and removing the base substrate 10 by inducing cracks in the group III nitride semiconductor layer 12 to obtain the group III nitride semiconductor layer. - 特許庁

炭化ホウ素７が中性子吸収材充填孔４内に充填され、ハフニウム７が中性子吸収材充填孔５内に充填される。例文帳に追加

Boron carbide 7 fills the neutron absorber packing hole 4, while hafnium 8 is filled within the neutron absorber packing hole 5. - 特許庁

ＨｆＣ（炭化ハフニウム）からなる陰極チップの寿命の向上を図ることができるプラズマ電極の製造方法及びプラズマ電極を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a plasma electrode capable of enhancing a life of a cathode chip composed of HfC (hafnium carbide), and to provide the plasma electrode. - 特許庁

焼結体を放電焼結装置を用いて製造する際に、製造コストを低減することができる炭化ハフニウム焼結体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a hafnium carbide sintered compact which can reduce a production cost when a sintered compact is produced using a discharge sintering apparatus. - 特許庁

本発明の電子放出源２０は尖形にされており、その先端部分からなる電子放出部２３に炭化ハフニウム薄膜２２が形成されている。例文帳に追加

This electron emission source 20 is formed into an acute shape, and a hafnium carbide thin film 22 is formed on an electron emission part 23 formed of the tip of the source. - 特許庁

両端に開口部２０ａ，２０ｂが設けられた筒状のダイ２０内に炭化ハフニウム粉末Ｆを充填し、真空中又は不活性雰囲気中で炭化ハフニウムを、開口部２０ａ，２０ｂに配置された上パンチ４０と下パンチ３０で挟んだ状態で加圧しながら、パルス通電加熱して焼結する。例文帳に追加

Hafnium carbide powder F is filled into a cylindrical die 20 whose both edges are provided with opening parts 20a, 20b, and the hafnium carbide is subjected to pulse conduction heating and sintered in a vacuum or in an inert gas atmosphere while performing pressurization in a state of being held between an upper punch 40 and a lower punch 30 arranged at the opening parts 20a, 20b. - 特許庁

炭化タングステンを主成分として含有する炭化物相と鉄族金属のバインダー相、およびジルコニウム及びニオブを必須成分として、必要によりチタン、ハフニウム、バナジウム、タンタル、クロム、モリブデンを含有する少なくとも１種の炭化物、炭窒化物固溶体相より成り、質量比Ｎｂ／（Ｚｒ＋Ｎｂ）が少なくとも０．５である焼結超硬合金体。例文帳に追加

The cemented carbide body comprises a carbide phase comprising tungsten carbide as the main component and an iron group metal binder phase, and zirconium and niobium as essential components, and, if required, comprises at least one kind of carbide-carbonitride solid solution phase including titanium, hafnium, vanadium, tantalum, chromium and molybdenum, and mass ratio Nb/(Zr+Nb) is at least 0.5. - 特許庁