点接合トランジスタの英語

本発明の回路検査装置であるインバータ検査装置１は，インバータ１０において，複数のトランジスタ列を有するトランジスタ部１１と，各トランジスタへの制御信号を出力する制御回路部１２との接合点を検査するものである。例文帳に追加

An inverter inspection device 1 as a circuit inspection device inspects an interface between a transistor part 11 having a plurality of transistor rows and a control circuit part 12 outputting control signals to transistors in an inverter 10. - 特許庁

本発明は、上述の点に鑑み、断面Ｔ字型エミッタ電極の微細化を可能にし、且つ高精度の製造を可能にしたヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a heterojunction bipolar transistor in which an emitter electrode having a T-shaped cross-section can be micromachined while being ensured in high precision manufacturing, and to provide its fabrication process. - 特許庁

このため、Ｖ−ＮＰＮバイポーラトランジスタは、そのベース−コレクタ間の接合容量Ｃｊｃが高めにシフトすることなく、氷点以下の低温においても良好な動作特性が得られる。例文帳に追加

Therefore, in the V-NPN bipolar transistor, a joint capacity Cjc between its base and collector is not shifted at a high level, and an appropriate operation characteristic can be realized even at a lower temperature than ice point. - 特許庁

この接合型電界効果トランジスタは、チャネル層３にゲート拡散層５が面接触した縦型構造を有しており、ゲート拡散層５が平面視点状の形状を有し、マトリクス状に設けられ、その各ゲート拡散層５の周囲を取り囲むようにチャネル層３が形成されている。例文帳に追加

The junction field effect transistor has such a vertical structure that a gate diffusion layer 5 comes into face contact with a channel layer 3 wherein the gate diffusion layer 5 has a spot-like plan view arranged in matrix and the channel layer 3 is formed to surround each gate diffusion layer 5. - 特許庁

ヘテロ接合型電界効果トランジスタ素子１００において、第１次ゲート配線１０５と第２次ゲート配線１０６の交点Ａ：１１０と、複数のゲート電極１０２において一方の端をなすゲート電極１０２aと第１次ゲート配線１０５との交点Ｂ：１１６の間の距離は１０μｍ以下となるよう配置されている。例文帳に追加

In the hetero-junction field effect transistor element 100, a distance between an intersection A 110 of primary gate wiring 105 and secondary wiring 106 and an intersection B 116 of a gate electrode 102a as one end in a plurality of gate electrodes 102 and the primary gate wiring 105 is set at 10 μm or less. - 特許庁

網状又は溝型の毛細管構造の、従来のアルミニウムベーパーチャンバーでは、熱流速が非常に小さく高出力のトランジスタの放熱構造には不向きで、毛細管構造とベーパーチャンバーの板部分との接合状態が熱抵抗を増大させる、点を改善したベーパーチャンバーを提供する。例文帳に追加

To overcome a problem wherein a conventional aluminum chamber having a net-like or groove-type capillary structure is not adequate to a heat release structure of a transistor with high output because heat flow speed is extremely low; and thus, to provide a vapor chamber improving a point where a jointing state of a capillary structure and a plate portion of the vapor chamber increases heat resistance. - 特許庁