無転位結晶の英語

このとき、無転位の結晶核１４を核としているため、成長結晶１６中に転位は発生しない。例文帳に追加

In this case, no dislocation occurs in the growth crystal 16 because the crystalline nucleus 14 of non-dislocation is used. - 特許庁

単結晶の引上げ中に単結晶が変形した場合でも、晶癖線の有無、つまり単結晶の有転位化の発生の有無を確実に検出することができる単結晶製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for producing a single crystal, which can reliably detect the presence or absence of a crystal habit line, that is, whether or not a dislocation occurs in a single crystal even when the single crystal deforms during being pulled. - 特許庁

成長結晶表面に酸化ゲルマニウムが付着するのを防ぎ、低転位密度または無転位でゲルマニウムの単結晶を成長させることができるゲルマニウム単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a germanium single crystal, capable of preventing germanium oxide from depositing on the surface of a growing crystal and growing the germanium single crystal with a low dislocation density or free of dislocation. - 特許庁

種結晶に発生する熱ショック転位の製品部分への伝播を防止し、かつ、大直径の無転位単結晶を安全に引上げることができるシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a pulling method for silicon single crystal which can prevent propagation of heat shock dislocation that occurs in the seed crystal to a product part and can safely pull a large diameter dislocation-free single crystal. - 特許庁

拡径部における無転位化率を低下させることなく、単結晶棒の生産性を向上させる単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon single crystal, by which the productivity of single crystal rods is enhanced without lowering the dislocation-free rate in a diameter-enlarged part. - 特許庁

単結晶棒内部の熱応力を制御して、引き上げられた単結晶棒の無転位化率を向上させることを目的とする。例文帳に追加

To improve a non dislocation rate of a pulled up single crystal rod, by controlling thermal stress of inside of the single crystal rod. - 特許庁

シリコン単結晶を高い成功率で無転位状態で融液から切り離す方シリコン単結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing a silicon single crystal, by which the silicon single crystal is cut off from a melt in a dislocation-free state with a high percentage of success. - 特許庁

無転位化に必要なネック部長さの短縮を図り、優れた結晶品質を得るシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon single crystal, by which the length of a neck part required for achieving dislocation-free state can be shortened and excellent crystal quality can be obtained. - 特許庁