珪長質の英語

成長源領域２と、成長源領域２に対して隔離されたターゲット領域３と、成長源領域２とターゲット領域３とを繋ぎ、１つの屈曲部４ａを有する非晶質珪素経路４と、成長源領域２、非晶質珪素経路４およびターゲット領域３取り囲む周囲非晶質珪素領域５とを、非晶質珪素膜をパターニングして形成する。例文帳に追加

A growth source region 2, a target region 3 provided away from it, an amorphous silicon path 4, which made of one bent part 4a, connects the growth source region 2 to the target region 3, and a peripheral amorphous silicon region 5 which encloses the growth source region 2, amorphous silicon path 4, and target region 3, are formed by patterning an amorphous silicon film. - 特許庁

ガイドレール５は、窒化珪素質の焼結体からなる長尺の略四角柱状の部材である。例文帳に追加

The guide rail 5 is a long sized beam member with a nearly square section of a silicon nitride-based sintered compact. - 特許庁

薄膜トランジスタの結晶性珪素膜は、非晶質珪素の結晶化を助長する元素を導入した非晶質珪素を４５０℃〜６５０℃の熱処理により結晶化させ、より高温の熱処理を酸化性雰囲気で行って結晶性を助長させたものでとする。例文帳に追加

A crystal silicon film of a thinfilm transistor causes crystallization by means of treating an amorphous silicon, in which the elements for promoting crystallization of an amorphous silicon are introduced by heat at a higher temperature, at a range of 450°C-650°C in an oxidizing atmosphere. - 特許庁

種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、雰囲気不活性ガス中に珪素の水素化物、炭素の水素化物又は珪素及び炭素を含む水素化物から選ばれる１種又は２種以上のガスを含有させ、炭化珪素単結晶を成長させることにより高品質な炭化珪素単結晶インゴットを得る。例文帳に追加

In growing the silicon carbide single crystal by a sublimation recrystallization method using a seed crystal, one or ≥2 kinds of the gases selected from hydride of silicon, hydride of carbon or hydride containing silicon and carbon are incorporated into atmosphere inert gas and the silicon carbide single crystal is grown, by which the silicon carbide single crystal ingot having high quality is obtained. - 特許庁

水溶性アルカリ珪酸塩と無機質粉末とを主成分とし、平均繊維長０．５〜１０ｍｍの短繊維物質を含有する。例文帳に追加

The heat expandable refractory material composition consists essentially of a water soluble alkali silicate and inorganic powder and contains short fibrous material having 0.5-10 mm average fiber length. - 特許庁

種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、種結晶上にマスクを施し、そのマスク越しに炭化珪素単結晶を成長させることにより高品質な炭化珪素単結晶インゴットを得る。例文帳に追加

When the silicon carbide single crystal is grown by a sublimation recrystallization method using a seed crystal, a mask is provided on the seed crystal and then the silicon carbide single crystal is grown across the mask, thereby the high purity silicon carbide single crystal ingot is obtained. - 特許庁

種結晶を用いた改良型レーリー法を用いて炭化珪素単結晶を作製する場合において、インゴット長さが長くて高品質の炭化珪素単結晶を得ることを可能とする炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for producing a silicon carbide single crystal ingot which allows a silicon carbide single crystal ingot having a long ingot length and high quality to be obtained in producing the silicon carbide single crystal ingot by an improved Rayleigh method using a seed crystal. - 特許庁

成長させようとする炭化珪素単結晶のサイズによることなく、種結晶に働く熱応力の影響を好適に抑えて、結晶欠陥等のない高品質な炭化珪素単結晶を成長させることのできる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for producing a silicon carbide single crystal which can grow a high quality silicon carbide single crystal free from crystal defects by suitably suppressing the influence of the thermal stress acting on the seed crystal regardless of the size of the silicon carbide single crystal to be grown. - 特許庁