理磨子の英語

うねり除去方法、研磨装置、被加工物、光学素子成形用金型、光学素子および印刷処理装置例文帳に追加

WAVINESS REMOVING METHOD, POLISHING DEVICE, WORKPIECE, MOLD FOR MOLDING OPTICAL ELEMENT, OPTICAL ELEMENT AND PRINTING PROCESSOR - 特許庁

発泡シート２の研磨面Ｐ側に研削処理が施され、微粒子４は研磨面Ｐ側で開孔し開孔５が形成されている。例文帳に追加

Grinding processing is applied to the polishing surface P side of the foaming sheet 2, and the particulates 4 are formed with an opening hole 5 by opening a hole on the polishing surface P side. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、研磨粒子を含むスラリーを供給しながら研磨布により半導体ウェーハ上の成膜をポリッシングするＣＭＰ処理工程の後に、研磨布表面を親水性処理する工程を実施する。例文帳に追加

After a step of the CMP process of polishing the formed film on the semiconductor wafer by the polishing cloth, while the slurry containing polishing particles is supplied, a step of hydrophile-processing the surface of the polishing cloth is executed. - 特許庁

当該研磨処理において、少なくとも最終段階の研磨処理では、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を主成分とし、平均粒径（Ｄ_５０）が１００ｎｍ以下である粒子の懸濁液が研磨剤として使用される。例文帳に追加

A suspension of particles essentially consisting of silicon dioxide (SiO_2) and having an average grain size (D_50) of ≤100 nm is used as a polishing agent at least in the final stage of polishing treatment. - 特許庁

トレンチ素子分離構造を有する半導体装置の製造において、化学機械研磨処理後の残留研磨材粒子の低減、及び平坦化研磨時の均一を図る。例文帳に追加

To reduce particles of residual polishing material after chemico- mechanical polishing, and equalize polishing for planarization, in the manufacture of a semiconductor device which has trench element isolating structure. - 特許庁

基板の処理方法、化学機械研磨後洗浄方法、電子デバイスの製造方法及びプログラム例文帳に追加

PROCESSING METHOD OF SUBSTRATE, CLEANING METHOD AFTER CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, PROCESS FOR FABRICATING ELECTRONIC DEVICE AND PROGRAM - 特許庁

雄端子との摺動によってメッキ等の表面処理層が磨耗することを防止する。例文帳に追加

To prevent a surface treatment layer such as plating from abrasion due to sliding with a male terminal. - 特許庁

該ブラスト処理は、ウエットブラストで、研磨材の粒子径を１００μｍ以下とする。例文帳に追加

The blasting treatment is wet blast and the grain size of polishing material is specified so as to be less than 100μm. - 特許庁