異種溶解のの英語

異種材の無溶解接合方法例文帳に追加

NONFUSED JOINING METHOD OF DIFFERENT KIND OF MATERIAL - 特許庁

異種容器・異種粉末の装置への誤投入を防止でき、確実にかつ正確な透析液を調製することのできる溶解装置を提供する。例文帳に追加

To provide a dissolving device capable of preventing a different kind of container and different kind of powder from being put into the device and securely and accurately preparing a dialysis agent. - 特許庁

異種合金溶解、多品種小ロット化、比較的大量な溶湯の安定した連続供給、及び高品質な溶湯の供給を実現し得るコンビネーション溶解システムの提供。例文帳に追加

To provide a combination melting system which can melt different types of alloys, attain melting of various types of metals in small lots, a stable and continuous supply of a comparatively large amount of molten metal and supply of a high quality molten metal. - 特許庁

窒化物半導体結晶との溶解速度差が小さい材料からなるバッファ層を用いた場合であっても、選択的エッチングにより短時間でバッファ層を溶解させて、窒化物半導体結晶を異種基板から分離可能とすることができる、窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor crystal capable of separating the nitride semiconductor crystal from a dissimilar substrate by dissolving a buffer layer in a short time by etching selectively even when using a material having a small dissolving rate difference from that of the nitride semiconductor crystal. - 特許庁

次に、前記バッファ層を前記窒化物半導体結晶に対して選択的に溶解させ得るエッチング液を前記空隙の内部に導入し、該エッチング液によって前記バッファ層を溶解させて、前記窒化物半導体結晶を前記異種基板から分離させる。例文帳に追加

Thereafter, the buffer layer is dissolved with an etching solution by introducing the etching solution capable of dissolving the buffer layer selectively against the nitride semiconductor crystal into the inner part of the void spaces to separate the nitride semiconductor from the dissimilar substrate. - 特許庁

（３）有機半導体に対して溶解性のある溶媒が、溶質として、該有機半導体と同一又は異種の有機半導体を含有する（１）又は（２）記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。例文帳に追加

(3) Disclosed is a manufacturing method of an organic thin film transistor of the claim (1) or (2) so that a solvent having solubility for the organic semiconductor contains the same kind of or a different kind of an organic semiconductor as the organic semiconductor as a solute. - 特許庁

さらに、前記犠牲層を実質的に溶解・除去した後に、前記酸またはアルカリ溶液と同種または異種の酸またはアルカリ溶液で処理してもよい。例文帳に追加

After the sacrificial layer has substantially been dissolved and eliminated, further processing with an acid or alkali solution same as or different from the acid or alkali solution may be performed. - 特許庁