砥石形結晶の英語

昇華法により形成された炭化ケイ素単結晶１０の種結晶側に対向する成長面に対して中空円筒状砥石３０の開口部を接触させる工程と、 上記中空円筒状砥石３０を回転させると共に上記中空円筒状砥石を上記種結晶方向に下降させて上記炭化ケイ素単結晶１０を研削する工程と、を含むことを特徴とする炭化ケイ素単結晶の研削方法。例文帳に追加

The method for grinding a silicon carbide single crystal includes a process that allows an opening of a hollow cylindrical grindstone 30 to contact a growth surface opposed to a seed crystal side of the silicon carbide single crystal 10 formed by sublimation process and a process that cuts the silicon carbide single crystal 10 by rotating the hollow cylindrical grindstone 30 and lowering the hollow cylindrical grindstone in the seed crystal direction. - 特許庁

シリコン単結晶Ｗのクラウン部Ｗｃ及びテール部Ｗｔの外周側面を、前記把持カップの内面形状と同一形状を有する研削砥石２４により研削し、その後、円筒研削装置の把持カップに、前記クラウン部及びテール部を装着し、前記シリコン単結晶の直胴部の外周側面を研削する。例文帳に追加

Peripheral surfaces of the crown portion Wc and the tail portion Wt of the silicon monocrystal W are ground by a grindstone 24 having the same internal shape as that of the gripping cup, and thereafter the crown portion and the tail portion are mounted on the gripping cup of a cylindrically grinding device, followed by grinding the peripheral surface of the straight trunk portion of the silicon monocrystal. - 特許庁