硫化テルルの英語

テルル化銅に、重量比で０．２６〜１．２０倍量の硫黄を添加し加熱処理することでテルル化銅のテルルと硫黄が置換され、硫化銅とテルルの混合物が生成する。例文帳に追加

A heating treatment is applied by adding sulfur at 0.26-1.20 times of amount of copper telluride by weight ratio to the copper telluride, and then the tellurium in the copper telluride and the sulfur are replaced, and a mixture of copper sulfide and the tellurium is produced. - 特許庁

出発原料（１、２、３、４、５、６）の一つにテルル化亜鉛を用いることによって原料溶液中にテルル化亜鉛が完全に溶解した後にテルルの一部が硫黄か、あるいはセレンと置換され、硫化セレン化テルル化亜鉛結晶が成長する。例文帳に追加

In the case when zinc telluride is used as one of starting materials (1, 2, 3, 4, 5 and 6), a portion of tellurium is replaced with sulfur or selenium after the zinc telluride is completely dissolved in the solution of the raw materials, and then a crystal of zinc sulfo-selen-telluride (ZnSSeTe) is grown. - 特許庁

出発原料（１、２、３、４、５、６）中の３硫化２アンチモン及び３セレン化２アンチモンの総物質量を変えずに比率のみを変えることによって硫化セレン化テルル化亜鉛結晶（７）中の硫黄とセレンとの比の制御が容易になる。例文帳に追加

Further, it becomes easy to control the ratio of sulfur to selenium in the zinc sulfo-selen-telluride crystal 7 by changing only the ratio of diantimony trisulfide to diantimony triselenide without changing the total amount of these compounds. - 特許庁

大面積かつ室温の基板あるいは基材に金属硫化物、金属セレン化物もしくは金属テルル化物薄膜を作製できるスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering device capable of making a metal sulfide, metal selenide or metal telluride thin film on a substrate or a base material with a large area at room temperature. - 特許庁

高品質Ｍｎドープセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）ナノ結晶、高品質Ｍｎトープ硫化亜鉛（ＺｎＳ）ナノ結晶、及び高品質Ｍｎドープテルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）ナノ結晶の製造に特に有用である。例文帳に追加

This method is useful especially for producing a high quality zinc selenide(ZnSe) nanocrystal doped with manganese, a high quality zinc sulfide(ZnS) nanocrystal doped with manganese, and a high quality zinc telluride(ZnTe) nanocrystal doped with manganese. - 特許庁

好ましくは、硫化カドミウム層は周囲温度で高周波スパッタ法で堆積させ、テルル化カドミウム層は、非晶スズ酸カドミウムを単一スピネル構造を有する多結晶スズ酸カドミウムに変換させるのに効果的な昇温温度で、クローズスペース昇華法によって堆積する。例文帳に追加

The cadmium sulfide layer may be deposited preferably by a high-frequency sputtering method at an ambient temperature, and the cadmium telluride layer may be deposited preferably by a closed-space sublimation method at a so efficient increased temperature as to convert an amorphous cadmium stannate into a polycrystal cadmium stannate having a single spinel structure. - 特許庁